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Semiconductores
$ 55.00
$ 68.00
Descripción Transistor BUX84 TO220 tipo "T" interruptor de alta velocidad. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 400 V Corriente de colector Ic: 2 A Disipación de potencia Tc=25°C: 40 W Temperatura de operación máxima: 150°C Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto NTE2313 Documentación Datasheet
$ 45.00
Descripción Un BUZ103 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Calificación avalancha dv/ret clasificado Bajo en resistencia Temperatura...
$ 26.00
$ 40.00
Descripción El transistor BUZ104 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 45.00
Descripción El transistor BUZ11 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 50.00
$ 99.00
Descripción El transistor BUZ355 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 18.00
Descripción El transistor BUZ42 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 25.00
Descripción El BUZ71A es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente Aplicaciones: ...
$ 38.00
Descripción El BUZ80 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente Aplicaciones: ...
$ 20.00
Descripción Transistor mosfet D4184 de pequeña señal con baja impedancia térmica y velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de convertidores de impulso LED blancos, sistemas automotrices y circuitos de conversión DC / DC industriales. Tecnología de trinchera de bajo rDS (encendido) Baja impedancia térmica Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Convertidores...
$ 40.00
Descripción Transistor D45H11 Tipo T para la amplificación de potencia de propósito general y la conmutación, tales como etapas de salida o controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCE (sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A Velocidades...
$ 85.00
$ 110.00
Descripción Transistor DS1233D-5 pequeña señal diseñado para su uso como detector de voltaje. Especificaciones Tipo de reset: Activo en bajo, drenador abierto Número de supervisores/monitores: 1 Tensión umbral: 4.625 V Tensión alimentación mínima: 1.2 V Tensión alimentación máxima: 5.5 V Tiempo de retardo: 350 ms Temperatura de funcionamiento mínima: -40°C...
$ 12.00
Descripción Transistor DTA124ES pequeña señal digital con 2 resistencias integradas de 22 kBias . Resistencia de polarización incorporada (R1 = 22kΩ, R2 = 22kΩ) Las resistencias de polarización integradas permiten la configuración de un circuito inversor sin conectar resistencias de entrada externas Las resistencias de polarización consisten en resistencias...
$ 20.00
Descripción Transistor DTA144 de pequeña señal, digital con 2 resistencias integradas de 47 kBias. Resistencia de polarización incorporada (R1 = 47kΩ, R2 = 47kΩ) Aplicaciones: Inversor, conmutación, driver e interfaz información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC102 pequeña señal. Información Básica Voltaje colector base VCBO: 50 V Corriente colector Ic: 100 mA Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 35.00
Descripción Transistor DTC103 pequeña señal. Información Básica Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 18.00
Descripción Transistor DTC114ES pequeña señal SOT-23, transistor digital con red de resistencia de polarización monolítica diseñada para reemplazar un solo dispositivo y su red de polarización de resistencia externa. El transistor de resistencia de polarización contiene un solo transistor con una red de polarización monolítica que consta de dos resistencias,...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC124 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje de colector emisor V (br) ceo: 50 V Intensidad colector continua Ic: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC143 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Intensidad de colector continua Ic: 100 mA Voltaje de colector emisor V(br)ceo: 50 V Resitencia básica de entrada R1: 4.7 kohms Resistor R2 base emisor: 4.7 kohms Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto No Aplica Documentación...
$ 12.00
Descripción Transistor DTC144ES pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 50 V Corriente colector: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto NTE2359 Documentación Datasheet
$ 30.00
Descripción Transistor ET382 Darligton es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y al poder estar todo...