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Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 A

Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 A

TRAIRF1010NPBF

$ 60.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El IRF1010NPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y confiable. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Automoción, administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 55 V
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 4 V
  • Intensidad drenador continua Id: 85 A
  • Resistencia de activación Rds(on) typ: 0.011 ohm
  • Disipación de potencia Pd: 180 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Vehículos y robótica: Control de velocidad de motores de corriente continua (DC) en robótica y vehículos eléctricos de baja tensión
  • Control bidireccional: Uso en circuitos de puente H para cambiar la dirección de giro en motores
  • Fuentes de alimentación:  Etapas de conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS)
  • Sistemas fotovoltaicos: Inversores y convertidores DC-DC utilizados en paneles solares y bancos de baterías
  • Administración de energía: Reguladores de corriente para carga de baterías y circuitos de protección contra sobrecorriente 

Sustituto

No aplica

Documentación

 

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