$ 49.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.
El mosfet IRG240 es  muy adecuado para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

  • Rangos de avalancha repetitiva
  • Dynamic dv / dt Rating
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 200 V
  • Voltaje compuerta fuente VGDS: ± 20 V
  • Corriente drenador continua ID: 18 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM:
  • Disipación de potencia PD (TC=25°C): 125 W
  • Fuente de activación  RDS(on) typ:  0.13 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

    Aplicaciones

    • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS): Usado para la conversión de energía de alta eficiencia en fuentes reguladas
    • Audio de alta fidelidad: Muy popular en etapas de salida de amplificadores de potencia para sistemas de audio debido a su excelente respuesta lineal y térmica
    • Control de motores: Empleado en circuitos de control de velocidad (choppers) y drivers para motores de corriente continua (DC) de mediana potencia
    • Inversores y convertidores: Esencial en inversores DC-AC (para paneles solares) y convertidores DC-DC (tipo buck o boost)
    • Circuitos de pulso de alta energía: Empleado en equipos de soldadura y sistemas de control industria

    Sustituto

    NTE2376

    Documentación

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