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Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 A

Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 A

TRAIRF150

$ 220.00 MXN Precio incluye IVA

dDescripción

Transistor mosfet IRF150 potencia DE UN un solo canal N MOSFET 100V HEXFET® herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel.
Son adecuados para aplicaciones como conmutación fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio amplificadores y circuitos de impulsos de alta energía.

  • Rango de avalancha repetitiva
  • Dynamic dv / dt Rating
  • Sellado herméticamente
  • Requisitos sencillos de manejo
  • Facilidad de paralelismo
  • Aplicaciones: Fuentes de alimentación conmutadas, controles de motor, inversores, choppers, amplificadores de audio y circuitos de pulsos de alta energía

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje drenaje fuente VDSS: 100 V
  • Voltaje compuerta fuente VGES: ± 20 V
  • Corriente drenaje continua ID: 40 A
  • ·  Corriente de drenaje pulsada IDM:152 A
  • Disipación potencia PD (TC=25°C): 150 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.055 Ω
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-3
  • 3 pines

    Aplicaciones

    • Fuentes de alimentación: s fundamental en fuentes conmutadas (SMPS) y convertidores de potencia
    • Control de motores: Se utiliza en variadores y puentes H para regular la velocidad y dirección de motores de corriente continua (CD)
    • Amplificadores de audio: Empleado en etapas de salida de alta potencia debido a su capacidad para manejar pulsos rápidos y altas corrientes
    • Inversores y choppers: Adecuado para circuitos de conversión de energía y modulación de ancho de pulso (PWM) Utilizado en sistemas que requieren descargas rápidas de energía de alta intensida
    • Circuitos de impulso: 

    Sustituto

    NTE2392 

    Documentación

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