$ 77.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada, diseñado para manejar voltajes de hasta 100 V y corrientes de hasta 42 A. Es altamente eficiente debido a su baja resistencia de encendido.

 

  • Temperatura de trabajo 175 ° C
  • Cambio rápido
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia  

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±50 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 42 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 140 A
  • Corriente de avalancha IAR: 22 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 160 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.036 Ohms
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Aplicaciones

  • Controladores de motores: Se utiliza frecuentemente en puentes H para regular la velocidad y dirección de motores de corriente continua (DC), así como en aplicaciones de robótica
  • Fuentes de alimentación conmutadas (SMPS): Es clave en etapas de conversión de energía, inversores y fuentes reguladas gracias a su rápida velocidad de conmutación
  • Controladores PWM (Modulación por ancho de pulsos): Permite atenuar luces (dimmers) o controlar la potencia de elementos calefactores variando el voltaje en su terminal de puerta (Gate)
  • Etapas de salida de audio: Empleado en amplificadores de potencia para manejar corrientes elevadas hacia las bocinas
  • Conmutación de alta corriente: Ideal para activar relés, solenoides y sistemas de automatización industrial desde microcontroladores (como Arduino o ESP32)

Sustituto

IRF3415PBF

Documentación

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