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Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 A
Transistor FQA36N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 36 ASKU: TRAFQA36N15

$ 39.00 $ 50.00

Descripción El transistor FQA36N15 de efecto de campo de potencia en modo de canal N se producen utilizando tecnología DMOS, banda plana patentada de Fairchild. Esta tecnología avanzada ha sido especialmente diseñada para minimizar la resistencia en el estado, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y soportar pulsos de alta...

Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 A
Transistor FQA28N15 Mosfet Potencia CH-N 150 V 33 ASKU: TRAFQA28N15

$ 88.00

Descripción El transistor FQA28N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A
Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 ASKU: TRAFQA18N50

$ 105.00

Descripción El transistor FQA18N50V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FP1016 Potencia
Transistor FP1016 PotenciaSKU: TRAFP1016

$ 56.00

Descripción Transistor FP1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FN651 Potencia
Transistor FN651 PotenciaSKU: TRAFN651

$ 52.00

Descripción Transistor FN651 potencia es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1​ El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en...

Transistor FN1016 Potencia
Transistor FN1016 PotenciaSKU: TRAFN1016

$ 56.00

Descripción Transistor FN1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FKV550 MOSFET TO-220 CH N 50 V 50 A
Transistor FKV550 MOSFET TO-220 CH N 50 V 50 ASKU: TRAFKV550

$ 42.00

Descripción Transistor FKV550  es un  mosfet  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Cambio rápido Baja resistencia de encendido Capacidad de energía de avalancha garantizada Diodo de protección de compuerta incorporado contra descargas electrostáticas...

Transistor FGPF4536TU Mosfet IGBT TO-220 CH-N 360 V 50 A
Transistor FGPF4536TU Mosfet IGBT TO-220 CH-N 360 V 50 ASKU: TRAFGPF4536TU

$ 35.00

Descripción El transistor FGPF4536TU bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor FGPF30N45T Mosfet IGBT TO-220 450 V 30 A
Transistor FGPF30N45T Mosfet IGBT TO-220 450 V 30 ASKU: TRAFGPF30N45T

$ 39.00 $ 54.00

Descripción El transistor FGPF30N45T bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399
Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399SKU: TRAFDS8984

$ 35.00 $ 46.00

Descripción El transistor FDS8984 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece...

Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185
Transistor FDS8958A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 34C0185SKU: TRAFDS8958A

$ 20.00

Descripción El FDS8958A es un mosfet de canal doble N de 30 V y canal P que ha sido  diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. El último MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild...

Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181
Transistor FDS8928A Mosfet Pequeña Señal Dual CH-N/P 30 V 5.5A 38C7181SKU: TRAFDS8928A

$ 45.00 $ 90.00

Descripción El transistor FDS8928A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432
Transistor FDS6673BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 14.5 A 15R3432SKU: TRAFDS6673BZ

$ 49.00 $ 80.00

Descripción Transistor mosfet FDS6673BZ   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales...

Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 A
Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 ASKU: CIRFDS4435BZ

$ 69.00

Descripción El FDS4435BZ es un mosfet de canal P de -30 V diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. Es un MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que...

Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559
Transistor FDPF8N50NZ Mosfet TO220 CH-N 500V 8A 25AC9559SKU: TRAFDPF8N50NZ

$ 145.00

Descripción El transistor FDPF8N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El Transistor FDPF8N50NZ Mosfet ha sido especialmente diseñada...

Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 A
Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 ASKU: TRAFDP2532

$ 139.00

Descripción El transistor FDP2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDP2532 es un MOSFET de canal N...

Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 A
Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 ASKU: TRAFDD8447L

$ 65.00

Descripción Transistor mosfet FDD8447L de pequeña señal de tecnología  PowerTrench® de 40 V de canal N que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior.  El MOSFET de potencia de media tensión más reciente...

Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023
Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023SKU: TRAFDB2532

$ 80.00 $ 145.00

Descripción El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDB2532 es un MOSFET de canal N...

Transistor ET382 TO220F
Transistor ET382 TO220FSKU: TRAET382

$ 30.00

Descripción Transistor ET382 Darligton es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y al poder estar todo...

Transistor DTC144 Pequeña Señal
Transistor DTC144 Pequeña SeñalSKU: TRADTC144

$ 12.00

Descripción Transistor DTC144ES pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 50 V Corriente colector: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto NTE2359 Documentación Datasheet