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Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75339P3

$ 39.00

Descripción El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 ASKU: TRAHGTG20N60C3D

$ 115.00

Descripción El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de...

Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 A
Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 ASKU: TRAHGTG12N60A4D

$ 297.00

Descripción El HGTG12N60A4D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. Esta serie SMPS es miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. IGBT combina las mejores características de MOSFET y transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor H882 Media Potencia
Transistor H882 Media PotenciaSKU: TRAH882

$ 13.00 $ 46.00

Descripción Transistor H882 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de radio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector IC: 3 A ...

Transistor H772 Media Potencia
Transistor H772 Media PotenciaSKU: TRAH772

$ 15.00

Descripción Transistor H772 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -30 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector IC: -3 A ...

Transistor H1061 TO220
Transistor H1061 TO220SKU: TRAH1061

$ 27.00

Descripción Transistor H1061 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia. Velocidad media de conmutación Alta disipación de potencia Aplicaciones: Amplificación baja frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:  100 V Voltaje colector emisor VCEO:  80 V Voltaje emisor base VEBO: ...

Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 A
Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 ASKU: TRAGT30J124

$ 70.00

Descripción El GT30J124 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 A
Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 ASKU: TRAGT30G122

$ 39.00

Descripción El GT30G122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N  disponible en clasificacion de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de...

Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 A
Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 ASKU: TRAFSM75N75

$ 42.00

Descripción El transistor  FSM75N75 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 A
Transistor FS3KM-10 Mosfet TO220 CH-N 500 V 3 ASKU: TRAFS3KM10

$ 28.00 $ 36.00

Descripción El transistor FS3KM-10 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A
Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 ASKU: TRAFQPF9N50

$ 38.00

Descripción El FQPF9N50 es un mosfet QFET® de canal N de 500V,  de potencia que se produce utilizando la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de...

Transistor FQPF5N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 A
Transistor FQPF5N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 4.5 ASKU: TRAFQPF5N60C

$ 25.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor FQPF10N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 9.5 A
Transistor FQPF10N60C Mosfet TO220 CH-N 600 V 9.5 ASKU: TRAFQPF10N60C

$ 35.00

Descripción El transistor FQPF10N60C de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP9N50C Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A
Transistor FQP9N50C Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 ASKU: TRAFQP9N50C

$ 29.00

Descripción El transistor FQP9N50C de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A
Transistor FQP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 ASKU: TRAFQP50N06

$ 45.00

Descripción El transistor  FQP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH-N 120 V 32 A
Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH-N 120 V 32 ASKU: TRAFQP32N12V2

$ 35.00

Descripción El transistor FQP32N12V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP19N20C Mosfet TO220 CH-N 200 V 19.4 A
Transistor FQP19N20C Mosfet TO220 CH-N 200 V 19.4 ASKU: TRAFQP19N20

$ 65.00

Descripción El transistor FQP19N20C  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP16N25C Mosfet TO220 CH-N 250 V 15.6 A
Transistor FQP16N25C Mosfet TO220 CH-N 250 V 15.6 ASKU: TRAFQP16N25C

$ 36.00

Descripción El transistor FQP16N25 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP12P20 Mosfet TO220 CH-P 200 V 11.5 A
Transistor FQP12P20 Mosfet TO220 CH-P 200 V 11.5 ASKU: TRAFQ12P20

$ 37.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados...

Transistor FQA36P15 Mosfet Potencia CH-P 150 V 36 A
Transistor FQA36P15 Mosfet Potencia CH-P 150 V 36 ASKU: TRAFQA36P15

$ 230.00

Descripción El FQA36P15 es un  MOSFET  diseñado para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de...