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Descripción Circuito Integrado GL3401 diseñado para su uso como separador de sincronía, salida horizontal y vertical. Especificaciones Encapsulado DIP 24 pines Sustituto HA11423 Documentación No Aplica
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Descripción Transistor 2SB324 de pequeña señal. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 25 V Voltaje colector emisor VCEO: 18 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente colector Ic: 2 A Disipación de potencia IC: 6 W Transición de frecuencia (ft): 0.35 MHz Ganancia de...
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Descripción Transistor 2SB324 de pequeña señal. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 32 V Voltaje colector emisor VCEO: 32 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic: 1 A Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 100°C Encapsulado TO-39 3 pines...
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Descripción El Transistor 2SA539 de pequeña señal es un amplificador PNP de uso general y de baja frecuencia. Este dispositivo está diseñado para su uso como amplificadores de uso general para los interruptores que requieren corrientes de colector a 20 mA. Baja ganancia Bajo ruido Complemento 2SC815 Aplicaciones: Industrial, administración...
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Descripción El transistor FQP75N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
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Descripción Circuito Integrado RSN312H24. Aplicaciones: Industrial Especificaciones Temperatura de funcionamiento mínima: -20°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado SIP 14 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
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Descripción El 2SD1321 es un transistor de media potencia NPN de silicio. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Temperatura de trabajo mínima: -65°C Temperatura de trabajo máxima: 200°C Encapsulado: TO251 3 pines Sustituto No aplica Documentación No aplica
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Descripción El 2SD11644 es un transistor de media potencia NPN de silicio. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 60 V Voltaje emisor base VEBO: 8 V Disipación de potencia Pd: 2 W Corriente de colector IC: 2 A Temperatura...
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Descripción El 2SD998 es un transistor de media potencia NPN de silicio. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Temperatura de trabajo mínima: -65°C Temperatura de trabajo máxima: 200°C Encapsulado: TO126 3 pines Sustituto No aplica Documentación No aplica
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Descripción El 2AC1501es un transistor bipolar de silicio, tipo media potencia. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 300 V Voltaje colector emisor VCEO: 300 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Disipación de potencia Pd: 9 W Corriente de colector IC: 15 mA Temperatura de...
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Descripción El 2AC1012 es un transistor bipolar de silicio, tipo Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 400 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Disipación de potencia Pd: 10 W Corriente de colector IC: 600 mA Temperatura de trabajo...
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Descripción El 2SB1011 es un transistor bipolar PNP de media potencia. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 400 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente de colector pico IC: 0.1 A Disipación de potencia de colector PC...