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Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 A
Transistor IRF6215PBF Mosfet TO220 CH-P 150 V 13 ASKU: TRAIRF6215PBF

$ 35.00

Descripción El IRF6215PBF es un HEXFET® quinta generación de canal P de potencia. El MOSFET de potencia utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona...

Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 A
Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 ASKU: TRAIRF620

$ 36.00

Descripción El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La...

Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRF540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRF540N

$ 29.00

Descripción El IRF540N  de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal único N de 100V en encapsulado TO-220. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total, los MOSFET de...

Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 A
Transistor IRF530NPBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 17 ASKU: TRAIRF530

$ 35.00

Descripción Transistor mosfet IRF530NPBF de canal N que ofrece la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de este dispositivos esta echo para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. El IRF530 es ampliamente utilizado para el control o amplificación de potencia, como interruptor electrónico en circuitos de conmutación de potencia,...

Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 A
Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 ASKU: TRAIRF5210L

$ 55.00

Descripción Transistor mosfet IRF5210L  HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr  resistencia extremadamente baja en la conexión por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado que son bien conocidos por, proporcionan...

Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 A
Transistor IRF520PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 9.2 ASKU: TRAIRF520

$ 12.00

Descripción Transistor mosfet IRF520 de poder que proporciona al diseñador  la mejor combinación de conmutación rápida, el diseño de dispositivos para uso rudo, baja resistencia y costo-efectividad. La resistencia térmica baja contribuye a su amplia aceptación en la industria.  El IRF520 es un MOSFET de potencia de canal N de...

Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 A
Transistor IRF510PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 5.6 ASKU: TRAIRF510

$ 39.00

Descripción El IRF510PBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación...

Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 A
Transistor IRF4905 Mosfet TO-220 CH-P 55 V 74 ASKU: TRAIRF4905

$ 12.00

Descripción El IRF4905PBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal P de -55 V en el paquete TO-220AB. Este MOSFET tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv / dt dinámica, conmutación rápida y resistente y, como resultado, una calificación de avalancha total,...

Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 A
Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 ASKU: TRAIRF460

$ 128.00

Descripción Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior...

Transistor IRF3415PBF Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 A
Transistor IRF3415PBF Mosfet TO220 CH-N 150 V 43 ASKU: TRAIRF3415

$ 85.00

Descripción Transistor mosfet IRF3415PBF Tipo  de potencia de N-canal único de quinta generación de HEXFET® utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr una resistencia ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente...

Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 A
Transistor IRF3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 110 ASKU: TRAIRF3205

$ 29.00

Descripción El transistor  IRF3205  es un MOSFET de canal N de energía HEXFET® con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y de rendimiento de conmutación rápida que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio. Este beneficio, en combinación...

Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 A
Transistor IRF2807 Mosfet TO220 CH-N 75 V 82 ASKU: TRAIRF2807

$ 60.00

Descripción Transistor mosfet IRF2807 Tipo T de potencia de canal N único HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente...

Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A
Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 ASKU: TRAIRF250

$ 73.00

Descripción Transistor IRF250 de potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia y con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG250 es  muy adecuado  para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores,...

Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 A
Transistor IRF240 Mosfet Potencia CH-N 200 V 18 ASKU: TRAIRF240

$ 49.00

Descripción Transistor mosfet IRF240 potencia herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG240 es  muy adecuado para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores, choppers, audio...

Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 A
Transistor IRF150 Mosfet Potencia CH-N 100 V 38 ASKU: TRAIRF150

$ 220.00

Descripción Transistor mosfet IRF150 potencia DE UN un solo canal N MOSFET 100V HEXFET® herméticamente sellado con muy baja resistencia con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. Son adecuados para aplicaciones como conmutación fuentes de alimentación, controles...

Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 A
Transistor IRF1404PBF Mosfet TO220 CH-N 40 V 162 ASKU: TRAIRF1404

$ 69.00

Descripción Transistor mosfet IRF1404PBF Tipo T de potencia HEXFET® que utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr resistencia por unidad extremadamente baja, de superficie de silicio. Las características adicionales de este diseño son: una temperatura de 175 ° C funcionamiento en el empalme, la velocidad de conmutación rápida y...

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A
Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 ASKU: TRAIRF1310N

$ 77.00

Descripción Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.  Temperatura de trabajo 175 ° C Cambio rápido Valor dinámico dV / dt Totalmente...

Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A
Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 ASKU: TRAIRF1010E

$ 55.00

Descripción El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® de alto rendimiento que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un...

Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRC540

$ 60.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRC540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344G3

$ 150.00 $ 175.00

Descripción El transistor HUFA75344G3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...