Inicio

Semiconductores

Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 A
Transistor IRFZ42 Mosfet TO200 CH-N 50 V 35 ASKU: TRAIRFZ42

$ 38.00

Descripción Transistor mosfet IRFZ42 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 A
Transistor IRFZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 49 ASKU: TRAIRFZ44N

$ 18.00

Descripción El IRFZ44N es un transistor mosfet  de potencia, de canal N, hexfet con muy baja resistencia por unidad de superficie  y con un  rendimiento de conmutación rápida, este beneficio, en combinación con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo robusto que hexfet Los mosfet de potencia...

Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 A
Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 ASKU: TRAIRFZ46

$ 48.00

Descripción El transistor IRFZ46 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFZ48N

$ 53.00

Descripción El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A
Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 ASKU: TRAIRG4BC30FDPBF

$ 105.00

Descripción El transistor IRG4BC30KDPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42A
Transistor IRG4BC40KFPBF Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 42ASKU: TRAIRG4BC40KFPBF

$ 120.00 $ 135.00

Descripción El transistor IRG4BC40KFPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A
Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 ASKU: TRAIRG4PC40U

$ 95.00

Descripción El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED...

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A
Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 ASKU: TRAIRG4PC50

$ 93.00

Descripción El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para...

Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 A
Transistor IRG7R313U Mosfet IGBT Pequeña SeñaI CH-N 330 V 40 ASKU: TRAIRG7R313U

$ 48.00

Descripción Transistor IRG7R313U  IGBT diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. Las características adicionales son una temperatura...

Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 A
Transistor IRG7S313U Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 330 V 40 ASKU: TRAIRG7S313U

$ 49.00

Descripción Este IGBT IRG7S313U está diseñado específicamente para aplicaciones en paneles de pantalla de plasma. Este dispositivo utiliza tecnología IGBT de trinchera avanzada para lograr un VCE bajo (encendido) y una clasificación EPULSETM baja por área de silicio, lo que mejora la eficiencia del panel. El transistor bipolar de puerta...

Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 A
Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 ASKU: TRAIRGB10B60KD

Agotado $ 90.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 A
Transistor IRGB15B60KDPF Mosfet IGBT TO220 600 V 31 ASKU: TRAIRGB15B60KDPBF

$ 90.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRGIB15B60KD1 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 19 A
Transistor IRGIB15B60KD1 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 19 ASKU: TRAIRGIB15B60KD1

$ 100.00

Descripción El transistor IRGIB15B60KD1 bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 ASKU: TRAIRGP4086

$ 180.00

Descripción El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRLML2502TRPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 20 V 4.2 A
Transistor IRLML2502TRPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 20 V 4.2 ASKU: TRAIRLML2502TRPBF

$ 9.00

Descripción Transistor mosfet  IRLML2502TRPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLR024NPBF

$ 39.00 $ 43.00

Descripción El transistor IRLR024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLU024NP

$ 76.00

Descripción El transistor  IRLU024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 A
Transistor IRLZ24NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 18 ASKU: TRAIRLZ24N

$ 32.00

Descripción El IRLZ24NPBF es un mosfet hexfet de 55 V de canal único  que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr la menor resistencia posible a la conexión  por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño del dispositivo reforzado es lo que...

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A
Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 ASKU: TRAIRLZ34N

$ 93.00

Descripción El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de...

Transistor IRLZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 47 A
Transistor IRLZ44N Mosfet TO220 CH-N 55 V 47 ASKU: TRAIRLZ44N

$ 53.00

Descripción Transistor mosfet IRLZ44N Tipo T  es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N de 55 V que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la menor resistencia posible. La rápida velocidad de conmutación y su diseño lo hacen eficiente para una amplia variedad de aplicaciones. 175 ° C Temperatura de funcionamiento Clasificación...