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Semiconductores
$ 29.00
$ 35.00
Descripción El transistor KSC2785 esta diseñado para su uso como un amplificador de frecuencia de audio y alta frecuencia OSC, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KSA1175 Aplicaciones: Amplificador de frecuencia...
$ 7.00
Descripción El transistor KSC945Y diseñado para su uso como amplificador de frecuencia de audio y alta frecuencia OSC, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KSA733 Aplicaciones: Amplificador de frecuencia de audio...
$ 12.00
Descripción El transistor KSD1406Y esta diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es el KSB1015 Aplicaciones: Voltaje bajo de saturación del colector-emisor Información...
$ 13.00
Descripción El KSE13005 es un transistor de potencia NPN con modo de conmutación diseñado para su uso en circuitos inductivos de alto voltaje, alta velocidad y conmutación de potencia, son particularmente adecuados para aplicaciones con modo de conmutación de 115 y 220 V, tales como reguladores de conmutación, inversores, convertidores...
$ 20.00
$ 29.00
Descripción El transistor KSE44H11TU diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Velocidades de conmutación rápida Su complemento es KSE45H Aplicaciones: Conmutación de potencia de propósito general Información Básica...
$ 4.00
Descripción Transistor KSP2907A pequeña señal es un transistor bipolar encapsulado de plástico de -45V PNP que cuenta con una disipación de potencia de 600mW y una corriente de colector de -600mA. Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: PNP Voltaje de colector emisor VCEO: 60 V Voltaje colector base VCBO: 60 V...
$ 27.50
Descripción El transistor KTA1024 esta diseñado para su uso como amplificador de video de alto voltaje, utilizado en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor PNP de triple difusión Su complemento es KTC3206 Aplicaciones: Amplificador de video de alto voltaje Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje...
$ 8.00
$ 13.00
Descripción Transistor KTA1271 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de alta corriente tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KTC3203 Aplicaciones: De alta corriente Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector a base VCBO: -35 V Voltaje...
$ 13.00
Descripción El Transistor KTA1659 de alta potencia de silicio PNP diseñado para su uso en aplicaciones de la salida vertical de TV. Transistor de silicio epitaxial Alta frecuencia de transmisión: 100 MHz Salida de desviación vertical de TV Su complementario es KTC4370/A Aplicaciones: Amplificador de potencia de alto voltaje Información...
$ 14.00
Descripción Transistor KTB1366Y esta diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general, tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor PNP de triple difusión Su complemento es KTD2058 Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector a base VCBO: -60 V Voltaje colector a...
$ 19.00
$ 25.00
Descripción Transistor KTC2026 esta diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de potencia de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KAT1046 Aplicaciones: Propósito general Información Básica Polaridad del transistor:...
$ 5.00
$ 9.00
Descripción Transistor pequeña señal TO-92. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 35 V Corriente de colector IC: 800 mA Temperatura de operación mínima: -55 °C Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-92 3 pines Sustituto NTE382 2SC2236 2SD400 2SD666 2SD667 BC635 BC639 KTC3203Y Documentación Datasheet...
$ 4.00
Descripción Transistor KTC3875 diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KTA1504 Aplicaciones: Propósito general y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 59.00
Descripción El KTD2058 es un transistor de silicio complementario NPN de 80 V diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Bajo voltaje de...
$ 93.00
Descripción El transistor M50D060S de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia. transistor El transistor M50D060S IGBT...
$ 39.00
$ 57.00
Descripción Transistor MD1803DFH Tipo T se fabrica utilizando la tecnología Diffused Coleccionista adoptando una estructura de alta tensión mejorada. La nueva serie MD muestra una eficacia de rendimiento actualizada en la etapa de deflexión horizontal. Rendimiento más estable frente a funcionamiento variación de temperatura Bajo requerimiento de unidad de base Trayectoria...
$ 39.00
$ 60.00
Descripción El MD2310FX es un transistor de alto voltaje NPN para pantalla CRT de definición estándar. La nueva serie MD usa un programa de eficiencia con rendimiento actualizado en la etapa de deflexión horizontal, tensión de saturación rápidos tiempos de conmutación y de muy baja lo que resulta en la...
$ 20.00
Descripción El MDF7N65 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales y diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones...
$ 21.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 339.00
Descripción El MJ10000 es un transistor darlington de potencia de silicio NPN con diodo de aceleración del emisor base., diseñado para uso en alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones de modo de conmutación en línea....