Inicio » Semiconductores
» Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A
Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A

Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A

TRAIRFZ34N

$ 34.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  IRFZ24N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ34N es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.

  • Tecnología de proceso avanzada
  • Clasificación dinámica dv / dt
  • Temperatura de funcionamiento 175 ° C
  • Cambio rápido
  • Totalmente clasificado como avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 26 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 100 A
    • Corriente de avalancha IAR: 16 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 56 W
    • Resistencia de activación RDS(on) máxima: 0.040 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2389      MTP27N06

    Documentación

    Productos Relacionados

    Comentarios