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Semiconductores
$ 27.00
Descripción El transistor AP04N70 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
Agotado
$ 28.00
$ 45.00
Descripción El transistor AP40T03 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 25.00
Descripción El transistor AP9962 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 19.00
Descripción El transistor APM4010 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 32.00
Descripción El transistor APM4015 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 35.00
$ 48.00
Descripción Transistor BC141 media potencia, NPN de potencia media, transistores epitaxiales planos de silicio en el paquete de metal TO-39. Este dispositivo se utiliza para la conmutación y la amplificación. Tensión del emisor del colector (Vce) de 60V Corriente continua de colector (Ic) de 1A Disipación de potencia de 800mW...
$ 9.00
Descripción El BC237B es un transistor epitaxial planar de silicio NPN, el más adecuado para uso en etapas de controladores de amplificadores de audio, etapas de entrada de bajo ruido de grabadoras, amplificadores Hi-Fi, circuitos de procesamiento de señal de receptores de televisión. Complemento NTE159 375 ° C / W...
$ 3.00
Descripción El transistor BC327 de pequeña señal diseñado para su uso como interruptor y amplificador de audio recomendado para uso en la salida del amplificador de audio. Complemento: NTE123AP Aplicaciones: Amplificador de audio, procesado de señal, administración de potencia , control de velocidad de motores DC Información Básica Polaridad del...
$ 9.00
Descripción Transistor BC328 de pequeña señal diseñado para su uso como interruptor y amplificador de audio. Complemento NTE123AP Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -30 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector DC: -800 mA...
$ 2.00
Descripción El BC337C es un transistor de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) de tipo NPN, su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 800mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole diseñado para su uso comúnmente en etapas de salida y amplificación de audio. Los...
$ 9.00
Descripción Transistor BC338 de pequeña señal diseñado para su uso como interruptor y amplificador. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. Complemento BC327 200 ° C / W Unión a ambiente en aire libre Resistencia térmica Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Tipo: Bipolar Polaridad del...
$ 6.00
Descripción Transistor BC546A pequeña señal diseñado para usarse en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutación. Complemento del BC556 Aplicaciones: Administración de potencia, industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector-emisor V (br) ceo: 65 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V DC...
$ 2.00
Descripción Transistor BC547C de pequeña señal es un transistor NPN de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 300mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole es de baja potencia y baja frecuencia, puede ser utilizado como interruptor electrónico y...
$ 2.00
Descripción El BC337C es un transistor de silicio epitexial de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) de tipo NPN, su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 800mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole diseñado para su uso comúnmente en etapas de salida y amplificación de...
$ 9.00
Descripción Transistor BC549C pequeña señal diseñado para usarse en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutación. Bajo ruido Alto voltaje Aplicaciones: Audio y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente del...
$ 4.00
Descripción Transistor BC550C pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificador industrial de bajo ruido y amplificador de pequeña señal. Voltaje de saturación colector bajo Control beta estricto Excelentes características de bajo ruido Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector-emisor VCEO: 50 V Voltaje colector-base VCBO: 450...
$ 6.00
Descripción Transistor BC556B de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de alto voltaje y bajo ruido. Baja corriente Bajo voltaje Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -80 V Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V Voltaje...
$ 2.00
Descripción Transistor BC557C BJT BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) de pequeña señal, bipolar de silicio PNP, diseñado para su uso en aplicaciones lineales de conmutación y aplicaciones de amplificador de AF. El transistor BC557C es suficientemente robusto para ser usado en experimentos electrónicos como amplificador y...
$ 2.00
Coscripción El transistor BC558C de pequeña señal es un dispositivo electrónico de propósito general de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para aplicaciones lineales y de conmutación. Este transistor es de tipo “PNP”, formado por dos...
$ 9.00
Descripción Transistor BC559 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de audio, conmutación y propósito en general. Complemento BC549 Baja tensión (máx. 30 V) Bajo ruido Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -30 V Voltaje de colector emisor VCEO: -30 V Voltaje...