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Semiconductores
$ 55.00
Descripción Transistor de potencia BU508AF diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación rápida y alto voltaje. Alta velocidad de conmutación Alto voltaje Aplicaciones: Circuitos de deflexión horizontal de TV en color Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCES: 1500 V Voltaje colector base VCEO: 700 V Voltaje emisor...
$ 55.00
$ 68.00
Descripción Transistor de potencia BU508D diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en una envoltura de plástico con diodo de eficiencia integrado, principalmente para uso en circuitos de deflexión horizontal de receptores de televisión en color. Alta velocidad de conmutación Alto voltaje Con...
$ 53.00
Descripción Transistor BU508DF de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta tensión y alta velocidad en una envoltura de plástico con diodo de eficiencia integrado, principalmente para uso en circuitos de deflexión horizontal de receptores de televisión en color. Alta velocidad de conmutación Alto voltaje Con...
$ 36.00
Descripción Transistor BU806 Tipo T de potencia NPN de silicio en configuración Darlington dentro de un diodo de aceleración de emisor base integrado diseñado para su uso en aplicaciones de alta velocidad y alto voltaje para uso en circuitos de deflexión horizontal en televisores y CRT. Alta velocidad Alto voltaje...
$ 35.00
$ 49.00
Descripción Transistor BU807 Tipo T NPN de silicio en configuración Darlington dentro de un diodo de aceleración de emisor base integrado diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación alta. Darlington Alta velocidad Alta corriente Aplicaciones: Etapas de salida horizontal de 110 pantallas de video o CRT Información Básica...
$ 135.00
Descripción Transistor BU931 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de controlador de bobina de encendido de alto voltaje de grado automotriz como actuadores de potencia de encendido electrónico. Certificación AEC-Q10 Tecnología bipolar muy resistente Alta temperatura operativa de la unión Aplicaciones: Encendido electrónico de alta resistencia Información Básica Polaridad:...
$ 62.00
Descripción Transistor BUF410 potencia que se fabrica utilizando tecnología High VoltageMulti Epitaxial Planar para altas velocidades de conmutación y alta capacidad de voltaje. Usan una estructura de emisor celular con terminación de borde plana para mejorar las velocidades de conmutación mientras mantienen un RBSOA amplio. La serie BUF está diseñada para...
$ 42.00
Descripción Transistor BUH417 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de CRT deflexión horizontal de alta tensión y conmutación rápida. Capacidad de alto voltaje de ruptura Voltaje de saturación bajo Alta velocidad de conmutación Caracterización completa de pérdidas de potencia y tiempos de conmutación en función de la corriente de...
$ 45.00
Descripción Transistor BUH417D potencia diseñado para su uso en aplicaciones de CRT deflexión horizontal de alta tensión y conmutación rápida. Capacidad de alto voltaje de ruptura Voltaje de saturación bajo Alta velocidad de conmutación Caracterización completa de pérdidas de potencia y tiempos de conmutación en función de la corriente de...
$ 56.00
Descripción Transistor BUH515 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de circuitos de deflexión horizontal en televisores y monitores. Alto voltaje Aplicaciones: Desviación horizontal en televisores y monitores, fuentes de alimentación de modo interrumpido Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V Voltaje colector emisor VCEO: 700...
$ 47.00
Descripción Transistor buh517 potencia dise para su uso en aplicaciones de class="tlid-translation translation" lang="es"> CRT deflexión horizontal de alta tensión y conmutación rápida. Capacidad de alto voltaje de ruptura Voltaje de saturación bajo Alta velocidad de conmutación Caracterización completa de pérdidas de potencia y tiempos de conmutación en función de...
$ 56.00
Descripción Transistor BUH517D potencia potencia diseñado para su uso en aplicaciones de CRT deflexión horizontal de alta tensión y conmutación rápida. Capacidad de alto voltaje de ruptura Voltaje de saturación bajo Alta velocidad de conmutación Caracterización completa de pérdidas de potencia y tiempos de conmutación en función de la corriente...
$ 76.00
Descripción El transistor BUK436-800A de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 26.00
$ 33.00
Descripción El BUK455-200A transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 32.00
Descripción El transistor BUK9508-55 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 17.00
$ 28.00
Descripción Transistor BUL128A Tipo TO-220 con rango de ganancia de rango de 14 a 28. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 700 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 9 V Corriente colector DC Ic: 4 A Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 70...
$ 47.00
Descripción Transistor BUL310 Tipo T que utiliza alto voltaje Tecnología Multi Epitaxial Planar para altas velocidades de conmutación y capacidad de alto voltaje. Utiliza una estructura de emisor celular con terminación de borde plana para mejorar las velocidades de conmutación mientras se mantiene un amplio RBSOA. está diseñado para su...
$ 11.00
Descripción El BUL312FP está fabricado con tecnología Multi Epitaxial Planar de alto voltaje para altas velocidades de conmutación y capacidad de alto voltaje. Utiliza una estructura de emisor celular con terminación de borde plana para mejorar las velocidades de conmutación mientras se mantiene un amplio RBSOA. Alta capacidad de voltaje...
$ 24.00
Descripción El BUL742 está fabricado con tecnología Multi Epitaxial Planar de alto voltaje para altas velocidades de conmutación y capacidad de alto voltaje. Utiliza una estructura de emisor celular con terminación planared para mejorar las velocidades de conmutación mientras mantiene la amplia RBSOA. Gracias a una capa intermedia aumentada, tiene...
$ 22.00
$ 28.00
Descripción Transistor BUL931T Tipo TO-220. Información Básica Temperatura mínima de operación: -65°C Temperatura máxima de operación: 150°C Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto No aplica