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Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 A
Transistor GT30G122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600V 20 ASKU: TRAGT30G122

$ 36.00

Descripción El GT30G122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N  disponible en clasificacion de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de...

Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 A
Transistor GT30J124 Mosfet IGBT TO220 CH-N 600 V 200 ASKU: TRAGT30J124

$ 36.00

Descripción El GT30J124 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor GT45F122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 45 A
Transistor GT45F122 Mosfet IGBT TO220 CH-N 300 V 45 ASKU: TRAGT45F122

$ 29.00

Descripción El GT45F122 es un transistor Mosfet  IGBT, de canal N están disponibles en clasificaciones de alto voltaje y alta corriente. Se utiliza en circuitos de conversión de potencia y de inversor para aplicaciones tan diversas como controladores de motor, sistemas de alimentación ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla...

Transistor H1061 TO220
Transistor H1061 TO220SKU: TRAH1061

$ 24.00

Descripción Transistor H1061 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia. Velocidad media de conmutación Alta disipación de potencia Aplicaciones: Amplificación baja frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:  100 V Voltaje colector emisor VCEO:  80 V Voltaje emisor base VEBO: ...

Transistor H669A Media Potencia
Transistor H669A Media PotenciaSKU: TRAH669A

$ 9.00

Descripción Transistor H669A media potencia. Información Básica Polaridad del transistor: NPN   Voltaje colector emisor  VCEO: 180 V Voltaje colector base VCBO:  160 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector Ic: 1.5 A Disipación de potencia colector Pc (Tc=25°C): 1 W Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura...

Transistor H772 Media Potencia
Transistor H772 Media PotenciaSKU: TRAH772

$ 9.00

Descripción Transistor H772 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -30 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector IC: -3 A ...

Transistor H882 Media Potencia
Transistor H882 Media PotenciaSKU: TRAH882

$ 29.00 $ 46.00

Descripción Transistor H882 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de radio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector IC: 3 A ...

Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 A
Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 ASKU: TRAHGTG12N60A4D

$ 265.00

Descripción El HGTG12N60A4D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. Esta serie SMPS es miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. IGBT combina las mejores características de MOSFET y transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 A
Transistor HGTG20N50C1D Mosfet IGBT Potencia 500 V 26 ASKU: TRAHGTG20N50C1D

$ 84.00

Descripción El HGTG20N50C1D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiper veloz anti paralelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 ASKU: TRAHGTG20N60C3D

$ 72.00

Descripción El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de...

Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A
Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 ASKU: TRAHGTG30N60A4

$ 230.00 $ 260.00

Descripción El HGTG30N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones...

Transistor HGTG40N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A
Transistor HGTG40N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 ASKU: TRAHGTG40N60A4

$ 420.00

Descripción El HGTG40N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones...

Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75339P3

$ 28.00

Descripción El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75343 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75343 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75343P3

$ 110.00

Descripción El transistor HUFA75343G3 es un  MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el innovador proceso UltraFET. Esta avanzada tecnología de proceso logra la menor resistencia posible por área de silicio, lo que resulta en un desempeño sobresaliente. Este dispositivo es capaz de soportar alta energía en el...

Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344G3 Mosfet Potencia CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344G3

$ 150.00 $ 175.00

Descripción El transistor HUFA75344G3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor HUFA75344P3 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 A
Transistor HUFA75344P3 Mosfet TO-220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75344P3

$ 142.00 $ 150.00

Descripción Transistor Ultra fet mosfet de alta potencia HUFA75344P3  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) de canal N de 55V en paquete TO-220. Este MOSFET de potencia  muestra una densidad de embalaje extremadamente alta para resistencia de bajo estado, características de avalanchas rugosas y...

Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 A
Transistor IRC540 Mosfet TO220 CH-N 100 V 28 ASKU: TRAIRC540

$ 60.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRC540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 A
Transistor IRF1010E Hexfet TO220 CH-N 60 V 84 ASKU: TRAIRF1010E

$ 55.00

Descripción El IRF1010E es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y...

Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 A
Transistor IRF1010NPBF Hexfet TO220 CH-N 55 V 85 ASKU: TRAIRF1010NPBF

$ 60.00

Descripción El IRF1010NPBF es un MOSFET de potencia de canal N HEXFET® utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr una resistencia de ON extremadamente baja por área de silicio. Este beneficio combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño robusto del dispositivo, proporciona un funcionamiento extremadamente eficiente y...

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 A
Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 ASKU: TRAIRF1310N

$ 72.00

Descripción Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.    Temperatura de trabajo 175 ° C Cambio rápido Valor dinámico dV / dt...