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Semiconductores
$ 183.00
Descripción El transistor bipolar IXGH30N60B de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...
$ 158.00
$ 165.00
Descripción El transistor IXTP50N25T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 115.00
Descripción Transistor mosfet IXTP56N15T Tipo T, de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...
$ 45.00
Descripción El transistor IXTP80N10T de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 60.00
Descripción Transistor JFET J108A pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógicas o digitales en las que es obligatoria una resistencia muy baja. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDSon a voltaje de compuerta cero (<8Ω para J108) Aplicaciones: Interruptores analógicos,...
$ 9.00
Descripción Transistor FET J111 pequeña señal diseñado para conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. 50 mA corriente de puerta delantera 625 mW Disipación total del dispositivo Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje...
Agotado $ 17.00
Descripción Transistor J-FET J112 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje de compuerta ON Aplicaciones: Administración...
$ 31.00
Descripción Transistor FET J112G diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad La fuente y el drenaje son intercambiables Voltaje de ruptura de puerta a fuente de 35 V Tensión de corte...
$ 18.00
Descripción Transistor J175 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados de chopper. Conmutación de alta velocidad Buenas características de frecuencia Amplia área de operación segura Aplicaciones: Conmutación, convertidor CC-CC y osciladores de potencia...
$ 9.00
Descripción Transistor J176 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados de chopper. Información Básica Polaridad del transistor: CH-P Voltaje de drenaje a fuente VDG:-30 V Voltaje de compuerta a fuente VGS: 30 V Corriente directa...
$ 28.00
Descripción Transistor J6810 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje. Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base...
$ 33.00
Descripción Transistor J6810A potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje. Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color. Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 39.00
Descripción Transistor J6810D potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje. Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector...
$ 45.00
Descripción Transistor J6820 potencia. Información Básica Encapsulado TO-264 3 pines Sustituto No Aplica Documentacion No Aplica
$ 55.00
Descripción Transistor J6920 de potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal para pantalla en color. Voltaje de ruptura de la base de colector alto: BVCBO = 1700V Bajo voltaje de saturación: VCE(sat) = 3 V (máx.) Aplicaciones: Para monitores de color Información Básica Polaridad: NPN...
$ 31.00
$ 40.00
Descripción El transistor KF5N50P de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El KF5N50 es un MOSFET de banda plana...
$ 23.00
Descripción El KSA940-2 es un transistor de silicio complementario PNP de -150 V diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de desviación vertical, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Su complemento es KSC2073 Aplicaciones:...
$ 22.00
$ 31.00
Descripción El KSB861 es un transistor de silicio complementario PNP de -200 V diseñado para su uso en aplicaciones de salida de desviación vertical de TV de color con amplificador de potencia de baja frecuencia, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores...
$ 4.00
Descripción El KSC1008 es un transistor de silicio complementario NPN de 80 V diseñado para su uso como amplificador de baja frecuencia de conmutación de media velocidad, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Su complemento es KSA708...
$ 5.00
Descripción El transistor KSC1845Y esta diseñado para su uso como un amplificador de baja frecuencia de conmutación de media velocidad. como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KSA992 Aplicaciones: Amplificador de...