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Semiconductores
$ 5.00
$ 9.00
Descripción Transistor pequeña señal TO-92. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 35 V Corriente de colector IC: 800 mA Temperatura de operación mínima: -55 °C Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-92 3 pines Sustituto NTE382 2SC2236 2SD400 2SD666 2SD667 BC635 BC639 KTC3203Y Documentación Datasheet...
$ 7.00
Descripción Transistor KTC3875 diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Transistor de silicio epitaxial Su complemento es KTA1504 Aplicaciones: Propósito general y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 30.00
Descripción El KTD2058 es un transistor de silicio complementario NPN de 80 V diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación de propósito general, como etapas de salida o de controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Bajo voltaje de...
$ 110.00
Descripción El transistor M50D060S de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia. transistor El transistor M50D060S IGBT...
$ 39.00
$ 57.00
Descripción Transistor MD1803DFH Tipo T se fabrica utilizando la tecnología Diffused Coleccionista adoptando una estructura de alta tensión mejorada. La nueva serie MD muestra una eficacia de rendimiento actualizada en la etapa de deflexión horizontal. Rendimiento más estable frente a funcionamiento variación de temperatura Bajo requerimiento de unidad de base Trayectoria...
$ 39.00
$ 60.00
Descripción El MD2310FX es un transistor de alto voltaje NPN para pantalla CRT de definición estándar. La nueva serie MD usa un programa de eficiencia con rendimiento actualizado en la etapa de deflexión horizontal, tensión de saturación rápidos tiempos de conmutación y de muy baja lo que resulta en la...
$ 20.00
Descripción El MDF7N65 es un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales y diseñado para conmutación de alta velocidad y aplicaciones...
$ 18.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 298.00
$ 350.00
Descripción El MJ10000 es un transistor darlington de potencia de silicio NPN con diodo de aceleración del emisor base., diseñado para uso en alta tensión, alta velocidad, conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico y adecuado para aplicaciones de modo de conmutación en línea....
$ 298.00
$ 350.00
Descripción El MJ11016G es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida del amplificador en aplicaciones de propósito general complementarios. El transistor tiene una construcción monolítica con resistencia de derivación base-emisor incorporado. Alta ganancia de corriente DC Voltaje base colector (Vcbo = 120V) Voltaje de...
$ 162.00
$ 230.00
Descripción Transistor MJ15001 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector...
$ 298.00
$ 350.00
Descripción Transistor MJ15002 ON potencia diseñado para su uso en aplicaciones de alta potencia de audio, posicionadores de cabeza de disco y otras aplicaciones lineales. Área de operación segura alta Para diseños complementarios de baja distorsión Alta ganancia de corriente DC Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...
$ 68.00
Descripción Transistor de potencia MJ15023 de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura alta (100% probado)...
$ 410.00
Descripción EL MJ15023G es un transistor de potencia de silicio PNP con excelente y segura zona de funcionamiento diseñado para su uso en aplicaciones de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza del disco y otras aplicaciones lineales. Cuenta con alta ganancia de corriente DC. Área de operación segura alta...
$ 220.00
Descripción El MJ21193G es un transistor de energía -250V, de silicio, PNP, bipolar que utiliza la tecnología emisor perforada y está diseñado específicamente para su uso en aplicaciones de salida de audio de alta potencia, posicionadores de cabeza de disco y aplicaciones lineales. Distorsión armónica total caracterizada Alta ganancia...
$ 150.00
$ 300.00
Descripción Transistor MJ4502G potencia marca ON diseñado para su uso en amplificadores de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación de música. Excelente ganancia de corriente CC Ancho de banda de ganancia de alta corriente Voltaje de saturación colector-emisor bajo Corriente de fuga baja Información Básica Polaridad del...
$ 150.00
Descripción El MJ802 es un transistor de potencia diseñado para su uso como dispositivos de salida de los amplificadores de audio complementarios a 100W de potencia por canal de música. Alta ganancia de corriente CC - hFE = 25–100 @ IC = 7.5 A Excelente área de operación segura Complemento...
$ 35.00
$ 50.00
Descripción El MJD122G es un transistor de potencia darlington complementario, bipolar, de 100V con polaridad NPN diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Este transistor es reemplazo de montaje superficial para la serie 2N6040-2N6045, serie TIP120-TIP122 y serie TIP125-TIP127 también tiene construcción monolítica con...
$ 39.00
$ 48.00
Descripción El MJE12007 es un transistor de potencia NPN multiepitaxial de silicio montado en el paquete de plástico TO-220, diseñado para su uso en control de motores, reguladores de conmutación, etc. Alta capacidad de corriente Aplicaciones: Reguladores de conmutación, control de motor Información Básica Polaridad del transistor: NPN: Voltaje colector...
$ 6.00
Descripción Transistor MJE13001 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de energía. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 600 V Tensión colector emisor VEBO: 400 V Voltaje emisor base VEBO: 7 V Corriente de colector DC Ic: 200 mA Disipación de potencia Pc...