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Transistor J6820 Potencia
Transistor J6820 PotenciaSKU: TRAJ6820

$ 82.00

Descripción Transistor J6820 potencia. Información Básica Encapsulado TO-264 3 pines Sustituto No Aplica Documentacion No Aplica

Transistor J6810D Potencia
Transistor J6810D PotenciaSKU: TRAJ6810D

$ 56.00

Descripción Transistor J6810D potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje.   Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector...

Transistor J6810A Potencia
Transistor J6810A PotenciaSKU: TRAJ6810A

$ 57.00

Descripción Transistor J6810A potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje. Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color. Información Básica Polaridad del transistor:  NPN Voltaje...

Transistor J6810 Potencia
Transistor J6810 PotenciaSKU: TRAJ6810

$ 54.00

Descripción Transistor J6810 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje. Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base...

Transistor J175 JFET Pequeña Señal CH-P 30 V 60 mA
Transistor J175 JFET Pequeña Señal CH-P 30 V 60 mASKU: TRAJ175

$ 18.00

Descripción Transistor J175 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados de chopper.   Conmutación de alta velocidad Buenas características de frecuencia Amplia área de operación segura Aplicaciones: Conmutación, convertidor CC-CC y osciladores de potencia...

Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA
Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mASKU: TRAJ112G

$ 38.00

Descripción Transistor FET J112G diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad La fuente y el drenaje son intercambiables Voltaje de ruptura de puerta a fuente de 35 V Tensión de corte...

Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mW
Transistor J112 JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA 350 mWSKU: TRAJ112

$ 19.00

Descripción Transistor J-FET J112 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDS activado a voltaje de compuerta ON Aplicaciones: Administración...

Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mW
Transistor J108A JFET Pequeña Señal CH-N 25 V 30 mA 350 mWSKU: TRAJ108A

$ 60.00 $ 75.00

Descripción Transistor JFET J108A pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógicas o digitales en las que es obligatoria una resistencia muy baja.   Conmutación de alta velocidad Intercambiabilidad de conexiones de drenaje y fuente Bajo RDSon a voltaje de compuerta cero (<8Ω para J108) Aplicaciones: Interruptores...

Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 A
Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 ASKU: TRAIXTP56N15T

$ 69.00

Descripción Transistor mosfet IXTP56N15T Tipo T, de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...

Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 A
Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 ASKU: TRAIXGH30N60B

$ 95.00

Descripción El transistor bipolar IXGH30N60B  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 A
Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 ASKU: TRAIRLZ34N

$ 99.00

Descripción El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de...

Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLU024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLU024NP

$ 76.00 $ 84.00

Descripción El transistor  IRLU024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 A
Transistor IRLR024NPBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 55 V 17 ASKU: TRAIRLR024NPBF

$ 39.00 $ 43.00

Descripción El transistor IRLR024NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 ASKU: TRAIRGP4086

$ 129.00

Descripción El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 A
Transistor IRFBG30PBF Mosfet TO220 CH-N 1000 V 3.1 ASKU: TRAIRFBG30

$ 96.00

Descripción El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Clasificación dinámica de dV/dt Calificación de avalancha repetitiva Cambio...

Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 A
Transistor IRGB10B60KD Mosfet IGBT TO220 600 V 22 ASKU: TRAIRGB10B60KD

$ 46.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 A
Transistor IRG4PC50UPBF Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 27 ASKU: TRAIRG4PC50

$ 136.00

Descripción El IRG4PC50UPBF es un IGBT de 600 V ultrarápido entre 8 y 60 kHz. Proceso de conmutación duro optimizado para alta frecuencia de operación. El diseño IGBT de generación 4 proporciona una distribución de parámetros más estricta y una mayor eficiencia que la generación 3. Diodos HEXFRED optimizados para...

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A
Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 ASKU: TRAIRG4PC40U

$ 95.00

Descripción El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED...

Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 A
Transistor IRG4BC30KDPBF Mosfet IGBT TO220 600 V 16 ASKU: TRAIRG4BC30FDPBF

$ 73.00

Descripción El transistor IRG4BC30KDPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFZ48N

$ 53.00

Descripción El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal...