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Transistor SPP80N06S Mosfet TO220 CH-N 55 V 80 A
Transistor SPP80N06S Mosfet TO220 CH-N 55 V 80 ASKU: TRASPP80N06S

$ 155.00

Descripción El transistor  SPP80N06S de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor SPP21N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 21 A
Transistor SPP21N50C3 Mosfet TO220 CH-N 560 V 21 ASKU: TRASPP21N50C3

$ 55.00 $ 68.00

Descripción Transistor SPP21N50C3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor SPP20N60C3 Mosfet TO220 CH-N 600 V 20.7 A
Transistor SPP20N60C3 Mosfet TO220 CH-N 600 V 20.7 ASKU: TRASPP20N60C3

$ 50.00

Descripción El transistor SPP20N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor SPP03N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 3.2 A
Transistor SPP03N60C3 Mosfet TO220 CH-N 650 V 3.2 ASKU: TRASPP03N60

$ 20.00

Descripción El transistor SPP03N60C3 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor STB6NK60ZT4 Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 6 A
Transistor STB6NK60ZT4 Mosfet Pequeña Señal CH-N 600 V 6 ASKU: TRASTB6NK60ZT4

$ 78.00 $ 96.00

Descripción Transistor mosfet STB6NK60ZT4. El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...

Transistor AO4614 Mosfet Pequeña Señal CH-P y CH-N 40 V 5 A
Transistor AO4614 Mosfet Pequeña Señal CH-P y CH-N 40 V 5 ASKU: TRAAO4614

$ 25.00

Descripción El transistor AO4614  es un mosfet de 40 V, dual, canal N y canal P, adecuado para retroiluminación del inversor para aplicaciones completas del convertidor puente de pantalla LCD. El pequeño MOSFET de potencia Foot con montaje en superficie utiliza paquetes de circuito y de pequeña señal integrada que han sido...

Transistor SGSIF461 Potencia
Transistor SGSIF461 PotenciaSKU: TRASGSIF461

$ 57.00 $ 78.00

Descripción Transistor SGSIF461 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de administración de potencia de alta velocidad de conmutación. Baja saturación dinámica 70 kHZ velocidad de conmutación Aplicaciones: Fuente de alimentación conmutada Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 850 V Voltaje colector emisor VCEO: 400 V...

Transistor SGSIF444 Potencia
Transistor SGSIF444 PotenciaSKU: TRASGSIF444

$ 50.00

Descripción Transistor SGSIF444 potencia fabricado con tecnología de mesada multiepitaxial para un alto rendimiento rentable y utiliza una estructura de emisor hueco para mejorar las velocidades de conmutación y esta  diseñado para su uso en  aplicaciones de conmutación de alta velocidad, como fuentes de alimentación y circuitos de deflexión horizontal...

SE135
SE135SKU: TRASE135

$ 39.00

Descripción Circuito Integrado SE135N amplificador de error. Aplicaciones: Industrial Información Básica Voltaje: 150 V Corriente: 20 A Encapsulado: TO220 3 pines Sustituto NTE7218 Documentación Datasheet

SE105
SE105SKU: CIRSE105

$ 36.00

Descripción Circuito integrado SE105 diseñado para su uso como amplificador de error.   Aplicaciones: Industrial Información Básica Voltaje colector tierra VCGO: 150 V Detección de salida Voltaje VS (V ): 105.2±0.8 Corriente colector: 20 mA Temperatura de funcionamiento mínima: -20°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado:  TO-220 3 pines Sustituto...

Transistor S9013 Pequeña Señal
Transistor S9013 Pequeña SeñalSKU: TRAS9013

$ 8.00

Descripción Transistor S9013 pequeña seña diseñado para su uso como  amplificador de salida de 1W de radios potables en la operación Push-pull de clase B. Alta disipación de potencia total  (PT = 625mW) Alta corriente de colector  (IC = 500mA) Excelente linealidad hFE Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje...

Transistor S9012H Pequeña Señal
Transistor S9012H Pequeña SeñalSKU: TRAS9012H

$ 8.00

Descripción Transistor S9012H pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general. Alta disipación de potencia: 710 mW Baja capacitancia del colector Baja tensión de saturación colector-emisor Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO:...

Transistor S8550C Pequeña Señal
Transistor S8550C Pequeña SeñalSKU: TRAS8550C

$ 3.00

Descripción El transistor S8550C de pequeña señal  diseñado para su uso en aplicaciones de salida de amplificación   de 2W para radios portátiles de clase B y operación Push-Pull. Complemento MPS8050 Aplicaciones: Audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -25...

Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 A
Transistor S8050D UTC Pequeña Señal 25 V 0.5 ASKU: TRAS8050D

$ 3.00

Descripción Transistor S8050D pequeña señal diseñado para su uso para aplicaciones de amplificación  de salida de 2W de radios portátiles  en operación Push-pull Clase B. Complementario al SS8550 Aplicaciones: Alta corriente, audio Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector-base VCBO: 40 V Voltaje emisor-colecto VCEO: 25 V Voltaje emisor-base...

Transistor S2055N Potencia
Transistor S2055N PotenciaSKU: TRAS2055N

$ 59.00

Descripción Transistor de potencia S2055N diseñado para su uso en aplicaciones de salida horizontal con diodo damper. Alto voltaje, alta velocidad Bajo voltaje de saturación del colector Diodo damper incorporado Aplicaciones:  Salida horizontal de TV en color, regulador de conmutación de TV en color Especificaciones Voltaje colector base VCBO: 1500...

Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPPM0

$ 50.00

Descripción El transistor bipolar  RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPD

$ 128.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2

$ 65.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH30E2

$ 43.00

Descripción El transistor bipolar RJH30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo  que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH3044

$ 60.00

Descripción Transistor RJH3044 es un  IGBT de conmutación de potencia de alta velocidad para aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad: tr = 80 ns típ., Tf = 150 ns Baja tensión de saturación de colector a emisor: VCE (sat) = 1,5 V típ Diodo...