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Descripción El NTE384 es un transistor de potencia NPN de silicio epitaxial múltiple en un paquete de tipo TO66 que utiliza una estructura de sitio de múltiples emisores. La construcción epitaxial múltiple maximiza la característica de voltios-amperios del dispositivo y proporciona velocidades de conmutación rápidas. El diseño de emisores múltiples...
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Descripción Semiconductor NTE328 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia, switch. El NTE328 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO3 diseñado para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de potencia industriales. Alto voltaje de mantenimiento de colector-emisor Alta...
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Descripción Semiconductor NTE322 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de potencia RF. El NTE322 es un transistor de potencia NPN RF de silicio en un paquete tipo TO202N diseñado para su uso en Citi-zen - Band y otros equipos de comunicaciones de alta frecuencia que operan...
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escripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
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Descripción Semiconductor NTE3094 consta de un par de puertas inversas acopladas ópticamente, cada una con un diodo emisor de GaAsP y un detector integrado único. Los fotones son recogidos en el detector por un fotodiodo y luego amplificados por un amplificador lineal de alta ganancia que acciona un transistor de...
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Descripción El NTE3046 es un optoacoplador TRIAC de salida de fototiroistor de 1 canal que consiste en una foto SCR acoplada a un diodo infrarrojo de arseniuro de galio. Este optoacoplador tiene una tensión de aislamiento de 3550V, disipación de potencia de 250mW y corriente de ánodo de CC de...
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Descripción Semiconductor NTE2V130 diseñado para su uso como varistor de metal óxido. Un varistor (variable resistor) es un componente electrónico cuya resistencia óhmica disminuye cuando la tensión eléctrica que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rápido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados básicamente con...
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Descripción El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia. Capacidad de alta corriente: IC = 50A (continuo) Ganancia de corriente CC: hFE = 15 a 60 @...
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Descripción El NTE278 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado específicamente para aplicaciones de banda ancha que requieren buena linealidad. Se puede utilizar como interruptor de modo de corriente de alta frecuencia a 200 mA. Figura de bajo ruido: NF = 3.0dB Typ @ f...
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Descripción Semiconductor NTE27 es un tansistor de alta corriente diseñado para su uso como amplificador de alta ganancia. El NTE27 es un transistor de potencia de germanio PNP diseñado para aplicaciones de alta corriente que requieren voltajes de alta ganancia y baja saturación. Alta corriente Alta ganancia Aplicaciones: Amplificador de...
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Descripción Semiconductor NTE266 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlingotn. Relación de transferencia de corriente directa: hFE = 40.000 min Disipación de energía: 1,33 W Free – Air @ TA = + 50 ° C Montaje con soldadura dura Aplicaciones: Controlador, controlador IC, regulador, interruptor...
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Descripción Semiconductor NTE2631 es un circuito integrado diseñado para su uso como controlador de línea diferencial cuádruple construido con procesamiento Schottky avanzado de baja potencia en un paquete tipo DIP de 16 derivaciones diseñado para la transmisión de datos digitales a través de líneas balanceadas. Este dispositivo cumple con todos...
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Descripción Semiconductor NTE2570 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta corriente. Su complemento es NTE2571 Voltaje de saturación colector-emisor bajo Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 90 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor...
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Descripción Semiconductor NTE2566 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta velocidad de alta corriente. Voltaje de saturación bajo Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...
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Descripción Semiconductor NTE2561 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de video. Producto de ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Corriente grande Capacidad de transferencia inversa pequeña Aplicaciones: Amplificadores de banda ancha Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 100...
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Descripción Semiconductor NTE2560 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de revelador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje colector emisor VCEO: -120 V Voltaje emisor base VEBO: -6 V...
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Descripción Semiconductor NTE2535. Transistor complementario switch de alta corriente. Su complemento es NTE2534 Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Aplicaciones: Controladores de relé Inversores de alta velocidad Convertidores Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -90 V Voltaje colector emisor VCEO: -80 V Voltaje...
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Descripción Semiconductor NTE2521 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de video para HDTV. Ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Alta corriente Capacidad de transferencia inversa baja y excelente respuesta de alta frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...