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$ 110.00
Descripción El 2N6420 es un transistor de potencia de alto voltaje complementario de potencia media diseñado para la conmutación de alta velocidad y la aplicación de amplificador lineal para amplificadores operacionales de alta tensión, reguladores de conmutación, convertidores, etapas de deflexión y amplificadores de alta fidelidad. Alta velocidad de...
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Descripción El 2N6388 es un transistor de potencia de plástico NPN con Darlington diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Cuenta con una construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Voltaje de mantenimiento de colector-emisor VCEO (sus) = 80 V (mínimo) Voltaje...
$ 360.00
Descripción El transistor 2N6287G ,PNP, bipolar, complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) = 100VDC...
$ 220.00
Descripción Transistor 2N6287 de potencia, PNP, bipolar complementario, darlington de poder, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El transistor tiene una construcción monolítica con una resistencia de derivación base-emisor incorporada. Alta ganancia de corriente continua Colector-emisor que sostiene el voltaje (Vce (sus) =...
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Descripcíon El 2N6286G es un transistor Darlington, PNP diseñado para aplicaciones de conmutación. Es un amplificador de propósito general y de baja frecuencia. Cuenta con la construcción monolítica con resistencias en derivación base-emisor incorporadas. Aplicaciones: Industrial Especificaciones Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor...
$ 160.00
Descripción El 2N6284G es un transistor de potencia bipolar NPN darlington con construcción monolítica, con resistencias de derivación base-emisor incorporadas, diseñado para aplicaciones de amplificación de uso general y de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua 1.09 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja...
$ 65.00
Descripción El 2N6059 es un transistor de base epitelial de silicio NPN de 100V con configuración monolítica de darlington diseñado para uso en aplicaciones de conmutación de potencia lineal y de baja frecuencia. Alta ganancia Alta corriente Alta disipación Diodo colector-emisor integrado antiparalelo Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor:...
$ 69.00
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Descripción El 2N6058 es un transistor darlington complementario de 80V, NPN, diseñado para amplificador de uso general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente continua Construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas Tensión del colector-base (Vcb = 80V) Voltaje emisor-base (Veb = 5V) Aplicaciones: Industrial...
$ 95.00
$ 298.00
Descripción El 2N6052 es un transistor de Darlington de -100V, PNP de silicio diseñado para las aplicaciones del amplificador de uso general y de frecuencia baja. Tiene construcción monolítica con resistencias de derivación base-emisor incorporadas. Alta ganancia de corriente continua -100V Colector a la tensión de base (VCBO) -5V Voltaje...
$ 24.00
Descripción Transistor 2N6039 media potencia diseñado para aplicaciones de conmutación de baja velocidad y amplificador de propósito general. Darlington Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Disipación de potencia Pd: 40 W Corriente...
$ 260.00
Descripción Transistor 2N6028G UJT de pequeña señal con polaridad PNP, Donde las terminales se designan como ánodo, compuerta ánodo y cátodo. El PUT ofrece muchas ventajas sobre los transistores de unión unipolar convencionales. El diseñador puede seleccionar R1 y R2 para programar las características de unión unipolar como relación intrínseca...
$ 15.00
Descripción Transistor 2N6027G UJT de pequeña señal PNP programable, unijunction transistor (PUT), donde las terminales se designan como ánodo, puerta ánodo y el cátodo. El PUT ofrece muchas ventajas sobre los transistores de unión unipolar convencionales. El diseñador puede seleccionar R1 y R2 para programar las características de unión unipolar...
$ 60.00
Descripción El 2N5886 es un transistor de potencia de 80V NPN complementario ideal para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación. Baja tensión de saturación colector-emisor Excelente ganancia de corriente DC Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje V (br) ceo: 80 V Transición de...
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Descripción Transistor 2N5884 potencia genérico de silicio complementario de alta potencia de 25A NPN diseñado para amplificador de potencia de uso general y aplicaciones de conmutación. Tensión baja de la saturación del colector-emisor (1VDC máximo VCE (sat) @ 15A DC IC) Baja corriente de fuga (1mA DC máxima ICEX @...
$ 35.00
Descripción Transistor 2N5484 JFET de de propósito general, utilizado como amplificador de uso general y conmutación. Opera tanto en frecuencia UHF como VHF. Aplicaciones: Amplificación Información Básica Tipo de transistor: RF JFET Polaridad del transistor: Canal N Voltaje drenaje compuerta VDG: 25 V Corriente drenaje Id: 30 mA Disipación de...
$ 49.00
Descripción Transistor 2N5462 de propósito general diseñado principalmente para audio de bajo nivel y con aplicaciones de alta impedancia. Aplicaciones: Propósito general, audio Información Básica Tipo de transistor: JFET Polaridad del transistor: Canal P Voltaje de ruptura Vbr: -40 V Corriente de drenaje Idss mínima, tensión compuerta nula: -4 mA...
$ 22.00
Descripción Transistor 2N5460 pequeña señal de propósito general diseñado principalmente para audio de bajo nivel y con aplicaciones de alta impedancia. Aplicaciones: Industrial Información Básica Tipo de transistor: JFET Polaridad del transistor: Canal: P Voltaje colector emisor V (br) ceo: 40 V Rango corriente: 10 mA Disipación de potencia Pd:...
$ 56.00
Descripción Transistor 2N5459 pequeña señal, conmutador de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación digital con baja en la resistencia. Aplicaciones: Amplificador AF / Chopper / Interruptor Información Básica Tipo de transistor: JFET Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje fuente Vds: 15 V Intensidad drenador continua Id: 16...
$ 26.00
Descripción Transistor 2N5458 pequeña señal utilizado como amplificador de uso general y conmutación. Canal N para mayor ganancia Drenaje y fuente intercambiables Alta impedancia de entrada de CA Alta resistencia de entrada de CC Baja transferencia y capacitancia de entrada Baja modulación cruzada y distorsión de intermodulación Aplicaciones: Industrial Información...
$ 14.00
Descripción Transistor 2N5192 media potencia de silicio NPN de 4A diseñado para el uso en amplificador de potencia y circuitos de conmutación. Aplicaciones: Industrial, administración de potencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Frecuencia de transición ft: 2 MGz Voltaje colector emisor V (br) ceo: 80 V Disipación de...