$ 10.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

Transistor TIP102,  epitexial de silicio 100V con polaridad NPN y darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia y conmutación.  Cuenta con construcción monolítica con  resistencias en derivación base-emisor.

  • Alta ganancia de corriente continua (hFE = 1000 a VCE = 4V, IC = 3A mínimo)
  • 100V Voltaje del colector (VCBO)
  • Darlington
  • Baja tensión de saturación colector-emisor
  • 5V Voltaje de la base del emisor (VEBO)
  • 1A Corriente base (IB)
  • Complemento: TIP105/106/107
  • Aplicaciones: Amplificador de potencia, conmutación, uso general

Información Básica

  • Polaridad del transistor: NPN
  • Voltaje colector base VCBO: 100 V
  • Voltaje colector emior VCEO: 100 V
  • Voltaje emisor base VEBO: 5 V
  • Corriente colector DC Ic : 8 A
  • Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 80 W
  • Ganancia de corriente continua hFE: 200 hFE
  • Temperatura de operación mínima: -65 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • 3 pines
  • Modelo: OO25 +

Sustituto

NTE2343 2SD1769   2SD1889   TIP101   TIP102   TIP142T

 

Documentación

Datasheet

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