$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Intensidad drenador continua Id: 11 A
  • Tensión drenaje-fuente Vds: 650 V
  • Resistencia de activación Rds(on): 0.34 ohm
  • Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
  • Tensión umbral Vgs: 3 V
  • Disipación de potencia Pd: 125 W
  • Temperatura de trabajo máxima:150°C 
  • Encapsulado: TO-263

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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