$ 19.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor  NTD60N02RG de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Proceso HD3e planar para un rendimiento de conmutación rápido
  • RDS(on)  bajo (encendido) para minimizar la pérdida de conducción
  • Ciss bajo para minimizar la pérdida del controlado
  • Carga de puerta baja
  • Optimizado para requisitos de conmutación del lado alto en un convertidor DC-DC de alta eficiencia

Especificaciones

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 24 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 24 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 62 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 58 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 8.4 mΩ
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • 3 pines

Sustituto

Sin aplicar

Documentación

Datasheet

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