$ 38.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFZ46 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.


  • 175 ° C Temperatura de funcionamiento
  • Valor dinámico dV / dt
  • Totalmente avalancha
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 53 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 180 A
  • Corriente de avalancha IAR: 28 A
  • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 107 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

NTE 2395 

Documentación

Datasheet

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