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Transistor IRFZ46NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 53 A
TRAIRFZ46
Descripción
El transistor IRFZ46 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFZ46 es un transistor MOSFET de N-canal HEXFET® de 55 V con una resistencia extremadamente baja por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido usando tecnología planar avanzada.
- 175 ° C Temperatura de funcionamiento
-
Valor dinámico dV / dt
- Totalmente avalancha
- Aplicaciones: Administración de potencia
Información Básica
- Polaridad del transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 55 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 55 V
- Corriente continua de drenaje ID: 53 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 180 A
- Corriente de avalancha IAR: 28 A
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 107 W
- Resistencia de activación RDS (ON) máxima: 0.0165
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-220
- Número de pines: 3
Sustituto
NTE2395 HUFA7533P3 IRFZ48NPBF
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