Inicio
» Transistor IRFB4212PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 A
Transistor IRFB4212PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 A

Transistor IRFB4212PBF Mosfet TO220 CH-N 100 V 18 A

TRAIRFB4212PBF

$ 50.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor IRFB4212 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.

  • Parámetros clave optimizados para aplicaciones de amplificador de audio de clase D
  • Bajo RDSON para mejorar la eficiencia
  • Bajo QG y QSW para mejorar el THD y mejorar la eficiencia
  • Bajo QRR para mejorar el THD y reducir el EMI
  • Temperatura de unión operativa de 175 ° C para mayor resistencia
  • Puede proporcionar hasta 150W por canal en carga de 24Ω2 en topología de medio puente
  • Aplicaciones: Conmutación, industrial

Información Básica

  • Polaridad del transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente: 100 V
  • Voltaje de puerta a fuente: ± 20 V
  • Corriente de drenaje Tc=25°C: 18 A
  • Corriente de drenaje pulsada: 57 A
  • Disipación de potencia Tc=25°C: 60 W
  • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.058 ohms
  • Temperatura de funcionamiento mínima: -55 °C
  • Temperatura de funcionamiento máxima: 175 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • Número de pines: 3

Sustituto

IRFB33N15D   IRF540    IRFI540N    STP30NF10FP

Documentación

Datasheet

Productos Relacionados

Comentarios