$ 41.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor 30F126 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Tipo IGBT
  • De alta corriente
  • Conmutación rápida
  • Voltaje de saturación colector-emisor bajo incluso en el área de corriente grande
  • Con un diodo incorporado con características óptimas adaptadas a aplicaciones específicas
  • La alta impedancia de entrada permite unidades de voltaje
  • Aplicaciones: Pantallas de plasma, controladores de motor, sistemas de suministro de energía ininterrumpida (UPS), cocinas IH, paneles de pantalla de plasma (PDP), flashes estroboscópicos, etc. 

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de ruptura VCES (V)  (Ta = 25 ̊C): 330 V
  • Corriente drenaje ID (Ta=25°C): 200  A
  • Disipación de potencia Pc (Tc=25°C): 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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