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Descripción

El transistor FQP22N30  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El FQP22N30 es un MOSFET de potencia QFET® de modo de mejora N-channel que utiliza la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia del estado ON, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, corrección activa del factor de potencia (PFC) y balastos electrónicos.

  • Cambio rápido
  • Avalancha probado al 100%
  • Carga de puerta baja típica 47nC
  • Crss bajas típicas  40pF
  • Aplicaciones: Administración de potencia, iluminación, industrial  

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 300 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ± 30 V
    • Corriente de drenaje ID: 21 A
    • Corriente de drenaje pulsada: 84 A
    • Disipación de potencia (Tc=25°C): 170 W
    • Resistencia de activación Rds(on):160 mohm
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    Datasheet

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