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Semiconductores
$ 45.00
Descripción Transistor 2SD2586 potencia diseñado para su uso como regulador de uso general y audio. Diodo damper Alta velocidad Alto voltaje Bajo voltaje de saturación Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector a base VCBO: 1500 V Voltaje colector a emisor VCEO: 600 V Voltaje emisor a base VEBO: 5 V...
$ 20.00
Descripción Transistor 2SD2589 Tipo T diseñado para su uso como regulador de uso general. Darlington Complemento 2SB1659 Aplicaciones: Audio, regulador de serie y uso general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 110 V Voltaje colector emisor VCEO: 110 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente...
$ 54.00
Descripción Transistor 2SD2624 diseñado para su uso en aplicaciones de deflexión horizontal para televisor a color. Alta velocidad Alto voltaje de ruptura (VCBO = 1500V) Alta confiabilidad (Adopción del proceso HVP). Adopción del proceso MBIT Diodo damper incorporado Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector a base VCBO: 1500 V Voltaje...
$ 25.00
$ 37.00
Descripción Transistor 2SD2627 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de salida deflexión horizontal televisión a color. Con diodo Damper incorporado Alta velocidad Alto voltaje de ruptura (VCBO = 1500V). Alta confiabilidad (Adopción del proceso HVP) Adopción del proceso MBIT Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V...
$ 42.00
Descripción Transistor 2SD2634 potencia salida deflexión horizontal para televisión de color. Alta velocidad. Alto voltaje de ruptura (VCBO = 1500V) Alta confiabilidad (Adopción del proceso HVP) Adopción del proceso MBIT. Diodo damperen chip Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector a base VCBO: 1500 V Voltaje colector a emisor VCEO: 800...
$ 58.00
Descripción Transistor 2SD2638 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal para TV a color, TV digital. Alto voltaje: VCBO = 1700 V Bajo voltaje de saturación: VCE (sat) = 5 V (máx.) Alta velocidad: tf = 0.8 μs (máx.) Aplicaciones: Conmutación de alta velocidad Información...
$ 25.00
Descripción Transistor 2SD2642 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de salida de audio, reguladores en serie y propósito gneral. Darlington Voltaje de ruptura colector-emisor: V (BR) CEO = 110 V (mín.) Ganancia de corriente CC alta: hFE = 5000 (mín.) @ (IC = 5A, VCE = 4V) Voltaje...
$ 45.00
$ 58.00
Descripción Transistor 2SD2689LS Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de salida deflexión horizontal para televisión de color. Alta velocidad Alto voltaje de ruptura (VCBO = 1500V) Alta confiabilidad (Adopción del proceso HVP) Adopción del proceso MBIT Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 1500 V Voltaje colector...
$ 27.00
Descripción Transistor 2SD288 Tipo T diseñado para su uso para aplicaciones de amplificación de poder de baja frecuencia. Aplicaciones: Amplificador de potencia de baja frecuencia, regulador de potencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 55 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 23.00
Descripción Transistor 2SD289 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de regulador de potencia, baja frecuencia y alta potencia. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector emisor VCEO: 55 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector Ic: 3 A Disipación de potencia colector...
$ 20.00
Descripción Transistor 2SD315 Tipo T diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y amplificador lineal para amplificadores operacionales de alto voltaje. Amplificadores, reguladores de conmutación, convertidores, inversores, etapas de desviación y amplificadores de alta fidelidad. Aplicaciones: Conmutaciónl Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 400 V Voltaje colector...
$ 18.00
Descripción Transistor 2SD325 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación y conmutación de potencia media. Buena linealidad de hFE Aplicaciones: Amplificación y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 90 V Voltaje colector emisor VCEO: 920 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V...
$ 15.00
Descripción Transistor 2SD331 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de la etapa de salida del amplificador de potencia RF de 10 W. Voltaje de saturación de emisor-colector bajo -: VCE (sat) = 1.0V (Máx.) @ IC = 2.0A Complemento a Tipo2SB515 Variaciones mínimas de lote a lote para...
$ 92.00
Descripción Transistor 2SD352 pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de media potencia. Buena linealidad de hFE Complemento 2SB324 Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 32 V Voltaje colector emisor VCEO: 32 V Voltaje emisor base VEBO: 10 V Corriente colector Ic: 1 A Disipación...
$ 20.00
Descripción Transistor 2SD362 Tipo T diseñado para su uso en aplicaciones de salida de desviación horizontal de TV en blanco y negro. Aplicaciones: B/W TV salida deflexión horizontal Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 150 V Voltaje colector emisor VCEO: 70 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 60.00
Descripción Transistor 2SD388 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder. Alto poder de disipación Aplicaciones: Amplificación de potencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 150 V Voltaje colector a emisor VCEO: 140 V Voltaje emisor a base VEBO: 7 V Corriente...
$ 18.00
Descripción Transistor 2SD400 pequeña señal amplificador de baja frecuencia. Aplicaciones: Controladora de frecuencia de audio Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 100 V Voltaje colector emisor VCEO: 100 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente colector DC continua Ic: 1 A Disipación de potencia colector...
$ 25.00
Descripción Transistor 2SD401 Tipo T de alta frecuencia y alta potencia de silicio NPN en una envoltura de plástico, principalmente para uso en audio y fines generales. Complemento 2SB546A Aplicaciones: Para uso en amplificadores de potencia de uso general y aplicación de salida vertical Información Básica Polaridad del transistor: NPN...
$ 145.00
$ 259.00
Descripción Transistor 2SD425 Potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder. Complemento 2SB555, 2SB556 Alto poder de disipación Aplicaciones: Etapa de salida de amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de alta potencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 140 V...
$ 150.00
$ 198.00
Descripción Transistor 2SD427 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder. Complemento 2SB557 Alto poder de disipación Aplicaciones: Etapa de salida de amplificador de frecuencia de audio de alta fidelidad de alta potencia Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a base VCBO: 120 V Voltaje colector...