TOP246YNSKU: CIRTOP246YN

$ 140.00

Descripción El circuito integrado TOP246YN es un TOPSwitch-GX EcoSmart off-line switcher que usa la misma topología probada que TOPSwitch, lo cual es rentable al integrar el MOSFET de potencia de alto voltaje, el control PWM, la protección contra fallos y otros circuitos de control en un solo chip CMOS. Muchas...

TOP247FNSKU: CIRTOP247FN

$ 70.00 $ 99.00

Descripción Circuito integrado TOP247FN TOPSwitch-GX que utiliza la misma topología probada que TOPSwitch, integrando de manera rentable el MOSFET de potencia de alta tensión, el control PWM, la protección contra fallos y otros circuitos de control en un solo chip CMOS. Muchas nuevas funciones están integradas para reducir el costo...

TOP247YNSKU: CIRTOP247YN

$ 140.00

Descripción El TOP247YN es un interruptor fuera de línea TOPSwitch-GX EcoSmart integrado en un encapsulado TO-220 de 6 pines. TOPSwitch-GX emplea la misma tecnología probada que TOPSwitch que integra de forma asequible MOSFET de potencia de alto voltaje, control PWM, protección contra fallas y otros circuitos de control en un...

TOP249YNSKU: CIRTOP249YN

$ 60.00

Descripción Circuito Integrado TOP249YN. Switch de potencia TOPSwitch-GX que utiliza la misma topología probada que TOPSwitch, integrando de manera rentable el MOSFET de potencia de alta tensión, el control PWM, la protección contra fallos y otros circuitos de control en un solo chip CMOS. Muchas nuevas funciones están integradas para...

TOP256YNSKU: CIRTOP256YN

$ 150.00

Descripción El circuito integrado TOP256YN es un convertidor DC / DC; Controlador SMPS, TOPSwitch-HX que incorpora de manera rentable un MOSFET de potencia de 700 V, fuente de corriente conmutada de alta tensión, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallos y otros circuitos de control sobre un...

TOP258MNSKU: CIRTOP258MN

$ 66.00

Descripción Circuito integrado TOP258MN. Switc OPSwitch-HX incorpora de manera efectiva un MOSFET de potencia de 700 V, fuente de corriente conmutada de alta tensión, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallos y otros circuitos de control en un dispositivo monolítico. La operación multi-modo maximiza la eficiencia en...

TOP258PNSKU: CIRTOP258PN

$ 60.00

Descripción El circuito integrado TOP258PN es un controlador PWM,  TOPSwitch-HX que incorpora de manera rentable un MOSFET de potencia de 700 V, fuente de corriente conmutada de alta tensión, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallos y otros circuitos de control en un dispositivo monolítico. Rango de...

TOP258YNSKU: CIRTOP258YN

$ 65.00

Descripción El TOP258YN es un circuito integrado TOPSwitch-HX que incorpora de manera rentable un MOSFET de potencia de 700 V, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control en un dispositivo monolítico. Al igual que TOPSwitch-GX...

TPS54231DRSKU: CIRTPS54231DR

$ 120.00 $ 185.00

Descripción Circuito integrado TPS45231DR diseñado para su uso como regulador reductor no síncrono de conmutación CD-CD  ajustable que integra un MOSFET de lado alto de RDS (encendido) bajo.   Especificaciones Tipo: Regulador reductor Tipo de conversor:  CD/CD (Corriente directa) Número de salidas: 1 Tensión de entrada mínima: 3.5 V Tensión...

Transistor 1136-3 PotenciaSKU: TRA11363

$ 29.00 $ 50.00

Descripción Transistor 1136-3 Potencia.  Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje: 40 V Frecuencia de transición ft: 60 MHz Disipación de potencia: 400 mW Corriente del colector DC: 300 mA Ganancia de corriente DC hFE: 70000 hFE Encapsulado:  TO-3P 3 pines Sustituto No aplica Documentación No Aplica

Transistor 1M30D-060 Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 30 ASKU: TRA1M30D060

$ 88.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor 1MB12-140 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1400 V 6 ASKU: TRA1MB12140

$ 175.00 $ 190.00

Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor 2N1893 Media PotenciaSKU: TRA2N1893

$ 39.00 $ 58.00

Descripción Transistor 2N1893 media potencia diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Tensión de ruptura alta Baja corriente de fuga Capacidad baja Beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio Aplicaciones: Industrial Información Básica  Polaridad del transistor: NPN Tensión Colector Emisor V(br)ceo: 80 V Frecuencia de transición: 70...

Transistor 2N2222A Pequeña SeñalSKU: TRA2N2222A

$ 19.00

Descripción El 2N2222A es un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso general que sirve tanto para aplicaciones de amplificación como de conmutación. Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones pequeñas o medias; por lo tanto, sólo puede tratar potencias bajas (no mayores de medio Watt). Puede trabajar a frecuencias...

Transistor 2N2646 UJT Pequeña Señal = 2N2647SKU: TRA2N2646

$ 98.00

Descripción Transistor UJT 2N2646 de pequeña señal  es un transistor UJT (Transistor Unijunction) o Transistor de Unión Unipolar. Es un dispositivo semiconductor que tiene tres terminales: el emisor (E), la base 1 (B1) y la base 2 (B2). A diferencia de otros transistores, el UJT no se utiliza típicamente como...

Transistor 2N2905A Pequeña SeñalSKU: TRA2N2905A

$ 43.00

Descripción Transistor 2N2905A de pequeña señal de conmutación rápida, corto apague y tensión, baja saturación, de ahí que el dispositivo sea el más adecuado para la conmutación y amplificación. Voltaje de colector a emisor (Vce) de -60 V Corriente continua de colector (Ic) de 600 mA Disipación de potencia de 600...

Transistor 2N2906A Pequeña SeñalSKU: TRA2N2906A

$ 37.00

Descripción El 2N2906A es un transistor de conmutación de alta velocidad plano de silicio PNP de -60 V diseñado para aplicaciones de amplificación DC y VHF de aplicación lineal y de conmutación. Dispositivos de conmutación rápida que muestran características de apagado corto y bajo voltaje de saturación. -60V Colector a...

Transistor 2N3053 Pequeña SeñalSKU: TRA2N3053

$ 37.00

Descripción El 2N3053 es un transistor de silicio NPN diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación y conmutación. Este dispositivo cuenta con alto voltaje de ruptura, baja corriente de fuga, baja capacidad y beta útil en un rango de corriente extremadamente amplio. 35 ° C / W Junction to case resistencia...

Transistor 2N3054 PotenciaSKU: TRA2N3054

$ 20.00

Descripción El 2N3054 es un transistor bipolar del silicio NPN diseñado para las aplicaciones de la conmutación y del amplificador del uso de la energía del uso general. Excelente área de operación segura CC Ganancia de corriente especificada en 3A -65 a 200 ° C Margen de temperatura de la...

Transistor 2N3055 PotenciaSKU: TRA2N3055

$ 48.00

Descripción El 2N3055 es un transistor de silicio complementario diseñado para audio de alta potencia, para  motor de paso a paso y otras aplicaciones lineales. Puede ser utilizado en circuitos de conmutación de potencia, tales como relé o solenoide conductores, convertidores DC-a-DC, inversores o para cargas inductivas que requieren área...