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Semiconductores

Transistor NTP75N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 A
Transistor NTP75N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 ASKU: TRANTP75N06

$ 43.00

Descripción El transistor NTP75N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor ON4962 TO220
Transistor ON4962 TO220SKU: TRAON4962

$ 35.00 $ 48.00

Descripción Transistor ON4962 Tipo T. Información Básica Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica

Transistor P2503NPG Mosfet Pequeña Señal CH-N y CH-P 30 V 7 A
Transistor P2503NPG Mosfet Pequeña Señal CH-N y CH-P 30 V 7 ASKU: TRAP2503NPG

$ 31.00

Descripción El transistor  P2503NPG de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor PN2222 Pequeña Señal
Transistor PN2222 Pequeña SeñalSKU: TRAPN2222

$ 2.00

Descripción El 2N2222 es comúnmente utilizado en aplicaciones de amplificación y conmutación. Como amplificador, se puede utilizar para aumentar la señal de entrada a un nivel de salida mayor. Como interruptor, se puede utilizar para conectar o desconectar circuitos eléctricos. Es importante tener en cuenta que el 2N2222 tiene una...

Transistor PN2907A Pequeña Señal
Transistor PN2907A Pequeña SeñalSKU: TRAPN2907A

$ 4.00

Descripción El transistor PN2907A de pequeña señal está diseñado para usarse como un amplificador e interruptor de propósito general que requiere corrientes de colector de hasta 500 mA.  Aplicaciones: Administración de potencia, amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje colector...

Transistor PN4250 Pequeña Señal
Transistor PN4250 Pequeña SeñalSKU: TRAPN4250

$ 12.00 $ 25.00

Descripción Transistor PN4250 pequeña señal diseñado para su uso como amplificador e interruptor de uso general que requieren corrientes de colector de hasta 300 mA. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje de colector emisor VCEO: -60 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V...

Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 A
Transistor RFD14N05LSM Mosfet Pequeña Señal CH-N 50 V 15 ASKU: TRARFD14N05LSM

$ 35.00

Descripción El RFD14N05LSM es un MOSFET de potencia de canal N fabricado utilizando el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza funciones similares a las de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización máxima de silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. Fueron diseñados para su uso en aplicaciones tales...

Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 A
Transistor RFP10N15 Mosfet TO220 CH-N 150 V 10 ASKU: TRARFP10N15

$ 28.00

Descripción El transistor RFP10N15 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP14N05L Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 A
Transistor RFP14N05L Mosfet TO220 CH-N 50 V 14 ASKU: TRARFP14N05L

$ 27.00

Descripción El transistor RFP14N05L de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP40N10 Mosfet TO220 CH-N 100 V 40 A
Transistor RFP40N10 Mosfet TO220 CH-N 100 V 40 ASKU: TRARFP40N10

$ 36.00

Descripción El RFP40N10 es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal único de 100 V con resistencia de encendido extremadamente baja por área de silicio y rendimiento de conmutación rápida que utiliza tecnología planar avanzada.  175 ° C Temperatura de funcionamiento Clasificación dV / dt dinámica Completamente avalancha clasificada Aplicaciones:...

Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A
Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 ASKU: TRARFP50N06

$ 100.00

Descripción El transistor RFP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 A
Transistor RFP70N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 70 ASKU: TRARFP70N06

$ 45.00

Descripción El transistor RFP70N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH3044 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH3044

$ 60.00

Descripción Transistor RJH3044 es un  IGBT de conmutación de potencia de alta velocidad para aplicaciones de cambio de potencia de alta velocidad. Conmutación de alta velocidad: tr = 80 ns típ., Tf = 150 ns Baja tensión de saturación de colector a emisor: VCE (sat) = 1,5 V típ Diodo...

Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJH30E2 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJH30E2

$ 43.00

Descripción El transistor bipolar RJH30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo  que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...

Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2

$ 78.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30E2DPP-MO Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30E2DPPM0

$ 40.00

Descripción El transistor bipolar RJP30E2DPP-MO de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de compuerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPD

$ 115.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPPM0

$ 42.00

Descripción El transistor bipolar  RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2A Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2A

$ 39.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2A de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 A
Transistor RJP30H2DPK-M0 Mosfet IGBT Potencia CH-N 360 V 35 ASKU: TRARJP30H2

$ 89.00 $ 98.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H2DPK-M0  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...