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Semiconductores
$ 25.00
Descripción El BUZ71A es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente Aplicaciones: ...
$ 38.00
Descripción El BUZ80 es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor. Modo de mejora Clasificación de avalancha Gran capacidad de corriente Aplicaciones: ...
$ 20.00
Descripción Transistor mosfet D4184 de pequeña señal con baja impedancia térmica y velocidad de conmutación rápida para aplicaciones de convertidores de impulso LED blancos, sistemas automotrices y circuitos de conversión DC / DC industriales. Tecnología de trinchera de bajo rDS (encendido) Baja impedancia térmica Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Convertidores...
$ 40.00
Descripción Transistor D45H11 Tipo T para la amplificación de potencia de propósito general y la conmutación, tales como etapas de salida o controlador en aplicaciones tales como reguladores de conmutación, convertidores y amplificadores de potencia. Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCE (sat) = 1.0 V (Max) @ 8.0 A Velocidades...
$ 85.00
$ 110.00
Descripción Transistor DS1233D-5 pequeña señal diseñado para su uso como detector de voltaje. Especificaciones Tipo de reset: Activo en bajo, drenador abierto Número de supervisores/monitores: 1 Tensión umbral: 4.625 V Tensión alimentación mínima: 1.2 V Tensión alimentación máxima: 5.5 V Tiempo de retardo: 350 ms Temperatura de funcionamiento mínima: -40°C...
$ 12.00
Descripción Transistor DTA124ES pequeña señal digital con 2 resistencias integradas de 22 kBias . Resistencia de polarización incorporada (R1 = 22kΩ, R2 = 22kΩ) Las resistencias de polarización integradas permiten la configuración de un circuito inversor sin conectar resistencias de entrada externas Las resistencias de polarización consisten en resistencias...
$ 20.00
Descripción Transistor DTA144 de pequeña señal, digital con 2 resistencias integradas de 47 kBias. Resistencia de polarización incorporada (R1 = 47kΩ, R2 = 47kΩ) Aplicaciones: Inversor, conmutación, driver e interfaz información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: 50 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC102 pequeña señal. Información Básica Voltaje colector base VCBO: 50 V Corriente colector Ic: 100 mA Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 35.00
Descripción Transistor DTC103 pequeña señal. Información Básica Encapsulado SPT 3 pines Sustituto No Aplica Documentación No Aplica
$ 18.00
Descripción Transistor DTC114ES pequeña señal SOT-23, transistor digital con red de resistencia de polarización monolítica diseñada para reemplazar un solo dispositivo y su red de polarización de resistencia externa. El transistor de resistencia de polarización contiene un solo transistor con una red de polarización monolítica que consta de dos resistencias,...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC124 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje de colector emisor V (br) ceo: 50 V Intensidad colector continua Ic: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de funcionamiento mínima: -55°C Temperatura de funcionamiento máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto...
$ 9.00
$ 14.00
Descripción Transistor DTC143 pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Intensidad de colector continua Ic: 100 mA Voltaje de colector emisor V(br)ceo: 50 V Resitencia básica de entrada R1: 4.7 kohms Resistor R2 base emisor: 4.7 kohms Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto No Aplica Documentación...
$ 12.00
Descripción Transistor DTC144ES pequeña señal. Aplicaciones: Inversor, conductor, circuito de interfaz Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector emisor V(br)ceo: 50 V Corriente colector: 100 mA Disipación de potencia: 300 mW Temperatura de operación mínima: -55°C Temperatura de operación máxima: 125°C Encapsulado: TO-226 3 pines Sustituto NTE2359 Documentación Datasheet
$ 30.00
Descripción Transistor ET382 Darligton es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de corriente. Está compuesto internamente por dos transistores bipolares que se conectan es cascada. Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y al poder estar todo...
$ 63.00
Descripción El FCD7N60TM es un MOSFET de super-unión de alto voltaje SuperFET® de canal N que utiliza tecnología de balance de carga para una excelente resistencia ON y un menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología está diseñada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación...
$ 95.00
$ 150.00
Descripción Transistor mosfet FDA59N25 de potencia UniFET TMMOSFET es Fairchild Semiconductor de alto voltaje basado en la tecnología de banda plana y DMOS. Este MOSFET está diseñado para reducir la resistencia en el estado y proporcionar mejor rendimiento de conmutación y mayor avalancha energía. Esta familia de dispositivos es adecuada...
$ 80.00
$ 145.00
Descripción El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDB2532 es un MOSFET de canal N...
$ 65.00
$ 78.00
Descripción El transistor FDD6637 es un MOSFET PowerTrench de canal P de -35V que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia de estado y mantener la carga de la puerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild se compone de...
$ 65.00
Descripción Transistor mosfet FDD8447L de pequeña señal de tecnología PowerTrench® de 40 V de canal N que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior. El MOSFET de potencia de media tensión más reciente...
$ 57.00
Descripción El transistor FDP12N50 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...