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Semiconductores
$ 95.00
$ 320.00
Descripción Semiconductor NTE2559 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de relevador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 120 V Voltaje colector emisor VCEO: 120 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V...
$ 185.00
$ 300.00
Descripción Semiconductor NTE2560 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de revelador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje colector emisor VCEO: -120 V Voltaje emisor base VEBO: -6 V...
$ 100.00
$ 270.00
Descripción Semiconductor NTE2561 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de video. Producto de ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Corriente grande Capacidad de transferencia inversa pequeña Aplicaciones: Amplificadores de banda ancha Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 100...
$ 35.00
$ 80.00
Descripción Semiconductor NTE2566 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta velocidad de alta corriente. Voltaje de saturación bajo Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 60.00
$ 89.00
Descripción Semiconductor NTE2570 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta corriente. Su complemento es NTE2571 Voltaje de saturación colector-emisor bajo Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 90 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor...
$ 164.00
$ 300.00
Descripción Semiconductor NTE266 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlingotn. Relación de transferencia de corriente directa: hFE = 40.000 min Disipación de energía: 1,33 W Free – Air @ TA = + 50 ° C Montaje con soldadura dura Aplicaciones: Controlador, controlador IC, regulador, interruptor...
$ 80.00
$ 190.00
Descripción Semiconductor NTE27 es un tansistor de alta corriente diseñado para su uso como amplificador de alta ganancia. El NTE27 es un transistor de potencia de germanio PNP diseñado para aplicaciones de alta corriente que requieren voltajes de alta ganancia y baja saturación. Alta corriente Alta ganancia Aplicaciones: Amplificador de...
$ 390.00
$ 470.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 80.00
$ 99.00
Descripción El NTE278 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado específicamente para aplicaciones de banda ancha que requieren buena linealidad. Se puede utilizar como interruptor de modo de corriente de alta frecuencia a 200 mA. Figura de bajo ruido: NF = 3.0dB Typ @ f...
$ 95.00
$ 190.00
Descripción El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia. El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para...
$ 195.00
$ 279.00
escripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 95.00
$ 150.00
Descripción Semiconductor NTE322 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de potencia RF. El NTE322 es un transistor de potencia NPN RF de silicio en un paquete tipo TO202N diseñado para su uso en Citi-zen - Band y otros equipos de comunicaciones de alta frecuencia que operan...
$ 198.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE328 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia, switch. El NTE328 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO3 diseñado para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de potencia industriales. Alto voltaje de mantenimiento de colector-emisor Alta...
$ 130.00
$ 180.00
Descripción El NTE384 es un transistor de potencia NPN de silicio epitaxial múltiple en un paquete de tipo TO66 que utiliza una estructura de sitio de múltiples emisores. La construcción epitaxial múltiple maximiza la característica de voltios-amperios del dispositivo y proporciona velocidades de conmutación rápidas. El diseño de emisores múltiples...
$ 95.00
$ 187.00
Descripción El NTE456 es un transistor de efecto de campo de silicio de unión de canal N en un paquete tipo TO72 diseñado para aplicaciones de conmutación y amplificador de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS:...
$ 150.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE459 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 50 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 50 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 95.00
$ 177.00
Descripción Semiconductor NTE466 es un transistor diseñado para su uso como amplificador y switch AF. Aplicaciones: Amplificador AF, Choppe y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: Canal N Voltaje de drenaje a fuente VDS: 40 V Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 40 V Voltaje de compuerta a fuente VGS:...
$ 35.00
$ 48.00
Descripción La serie PJ1117 de reguladores de voltaje positivo de alto rendimiento está diseñada para su uso en aplicaciones que requieren un rendimiento de baja caída a la corriente nominal completa. Además, la serie PJ1117 proporciona una excelente regulación sobre las variaciones debidas a cambios en la línea, la carga...
$ 95.00
$ 110.00
Descripción Transistor 1136-3 Potencia. Especificaciones Polaridad del transistor: NPN Voltaje: 40 V Frecuencia de transición ft: 60 MHz Disipación de potencia: 400 mW Corriente del colector DC: 300 mA Ganancia de corriente DC hFE: 70000 hFE Encapsulado: TO-3P 3 pines Sustituto No aplica Documentación No Aplica
$ 88.00
Descripción El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto...