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Semiconductores
$ 2.00
Descripción El BC337C es un transistor de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) de tipo NPN, su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 800mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole diseñado para su uso comúnmente en etapas de salida y amplificación de audio. Los...
$ 5.00
Descripción Transistor BC338 de pequeña señal diseñado para su uso como interruptor y amplificador. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes. Complemento BC327 200 ° C / W Unión a ambiente en aire libre Resistencia térmica Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Tipo: Bipolar Polaridad del...
$ 2.00
Descripción Transistor BC546A pequeña señal diseñado para usarse en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutación. Complemento del BC556 Aplicaciones: Administración de potencia, industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje colector-emisor V (br) ceo: 65 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V DC...
$ 2.00
Descripción Transistor BC547C de pequeña señal es un transistor NPN de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 300mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole es de baja potencia y baja frecuencia, puede ser utilizado como interruptor electrónico y...
$ 2.00
Descripción El BC337C es un transistor de silicio epitexial de propósito general BJT (Bipolar Junction Transistor = Transistor de Unión Bipolar) de tipo NPN, su voltaje Colector- Emisor es de 45V a 800mA, tiene un empaquetado TO-92 Through Hole diseñado para su uso comúnmente en etapas de salida y amplificación de...
$ 3.00
Descripción Transistor BC549C pequeña señal diseñado para usarse en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutación. Bajo ruido Alto voltaje Aplicaciones: Audio y conmutación Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente del...
$ 4.00
Descripción Transistor BC550C pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificador industrial de bajo ruido y amplificador de pequeña señal. Voltaje de saturación colector bajo Control beta estricto Excelentes características de bajo ruido Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector-emisor VCEO: 50 V Voltaje colector-base VCBO: 450...
$ 2.00
Descripción Transistor BC556B de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de alto voltaje y bajo ruido. Baja corriente Bajo voltaje Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -80 V Voltaje de colector emisor VCEO: -65 V Voltaje emisor...
$ 2.00
Descripción Transistor BC557C BJT BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) de pequeña señal, bipolar de silicio PNP, diseñado para su uso en aplicaciones lineales de conmutación y aplicaciones de amplificador de AF. El transistor BC557C es suficientemente robusto para ser usado en experimentos electrónicos como amplificador y...
$ 2.00
Coscripción El transistor BC558C de pequeña señal es un dispositivo electrónico de propósito general de estado solido de unión bipolar BJT por sus siglas en inglés (Bipolar Junction Transistor) que utiliza las propiedades del silicio para aplicaciones lineales y de conmutación. Este transistor es de tipo “PNP”, formado por dos...
$ 5.00
Descripción Transistor BC559 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de audio, conmutación y propósito en general. Complemento BC549 Baja tensión (máx. 30 V) Bajo ruido Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -30 V Voltaje de colector emisor VCEO: -30 V Voltaje...
$ 4.00
Descripción Transistor BC560C de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación y amplificador AF. Bajo ruido Complemento de BC556, BC557, BC558, BC559 y BC560 Voltaje de colector-base de 50V Voltaje de emisor-base de 6V Aplicaciones: Procesado de señal, administración de potencia Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
$ 3.00
Descripción El BC635 es un transistor bipolar epitexial plano de silicio de NPN con dispositivos de alto rendimiento y baja frecuencia, típicamente con una clasificación de corriente de 1A hasta 1W de disipación de potencia. 45 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja 156 ° C /...
$ 3.00
Descripción Transistor BC638 pequeña señal diseñado para su uso como controlador de frecuencia de audio. Complemento de BC637 Aplicaciones: Conmutación y amplificador Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: - 60 V Voltaje colector emisor VCEO: -60 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente del colector...
$ 5.00
Descripción Transistor BC639 pequeña señal diseñado para su uso como controlador de frecuencia de audio de alta corriente. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 80 V Voltaje de colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente del colector Ic: 1 A Disipación...
$ 3.00
Descripción Transistor BC640 Pequeña Señal. El BC640 es un transistor bipolar epitexial de silicio de PNP de energía baja para las etapas del conductor y las aplicaciones del amplificador audio. 45 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja 156 ° C / W Unioón en la resistencia térmica...
$ 3.00
Descripción Transistor BC847B de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general. Para etapas de entrada de AF y aplicaciones de controlador Gran ganancia de corriente Baja tensión de saturación colector-emisor Bajo nivel de ruido entre 30 Hz y 15 kHz Tipos complementarios: BC857 ...- BC860 ... (PNP) ...
$ 3.00
Descripción Transistor BC847C de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de propósito general. Para conmutación y aplicaciones de amplificador AF Alta confiabilidad Complemento BC856 y BC848C Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, inserción automática Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VEBO: 50 V Voltaje colector emiso VCEO:...
$ 8.00
Descripción Transistor BCP56 de media potencia, bipolar, NPN, diseñado para amplificadores de potencia media de uso general y conmutadores que requieren corrientes de colector a 1A. Complemento BCP52 y BCP53 Aplicaciones: Procesado de señal, propósito general, etapa de salida de amplificación de audio Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base...
$ 19.00
Descripción Transistor BD124 tipo T. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Temperatura de operación máxima: 150 °C Encapsulado: TO-220 3 pines Sustituto NTE152 2SD234-0 2SD325 2SD331 2SD880 BD124 Documentación No Aplica