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Proyectos y Robótica
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$ 8.00
Descripción Transistor 2SC3203 de pequeña señal es un dispositivo semiconductor de silicio tipo NPN diseñado para amplificación de audio de baja frecuencia (AF) y aplicaciones de conmutación (switcheo). Se utiliza comúnmente en equipos de audio, controladores de LED y fuentes de alimentación. Para voltaje de baja frecuencia Excelente linealidad...
$ 10.00
$ 14.00
Descripción Transistor 2SC3205 de pequeña señal es un dispositivo semiconductor NPN de silicio, diseñado principalmente para la amplificación de audio de baja potencia y conmutación de alta velocidad. Es un componente muy común en etapas de salida de audio, controladores de motores de corriente continua (DC) y circuitos de conmutación...
$ 12.00
$ 14.00
Descripción Transistor 2SC3244 de pequeña es un transistor de unión bipolar (BJT) tipo NPN diseñado principalmente para aplicaciones de conmutación y amplificación de baja potencia en equipos electrónicos tales como de audio, video, medicina y computadoras. Excelente linealidad de la corriente continua Complemento 2SA1284 Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Voltaje...
$ 5.00
$ 12.00
Descripción Transistor 2SC3246 de pequeña señal es un dispositivo bipolar de silicio NPN diseñado para aplicaciones de conmutación de baja potencia, control de motores pequeños, actuadores, solenoides y filtros de rizado den fuentes de alimentación Bajo voltaje de saturación Para voltaje de baja frecuencia Excelente linealidad de la corriente...
$ 22.00
Descripción Transistor 2SC458 de pequeña señal NPN diseñado para aplicaciones de amplificación de señales de audio de bajo ruido y uso general. Para voltaje de baja frecuencia Excelente linealidad de la corriente continua Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje de colector emisor VCEO: 30...
$ 15.00
$ 19.00
Descripción Transistor 2SC5039 de pequeña señal es un transistor NPN. Excelente linealidad de la corriente continua Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad: NPN Temperatura de trabajo mínima: -55 °C Temperatura de trabajo máxima: 125°C Encapsulado TO-92 3 pines Sustituto No aplica
$ 16.00
Descripción El Transistor 2SC5395 de pequeña señal es un amplificador NPN de uso general. Este dispositivo está diseñado para su uso en aplicaciones de voltaje de baja frecuencia. Bajo voltaje de saturación Para voltaje de baja frecuencia Excelente linealidad de la corriente continua Aplicaciones: Para amplificación de voltaje de baja frecuencia...
$ 10.00
$ 16.00
Descripción Transistor 2SC784 de pequeña señal es un amplificador NPN de uso general ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta frecuencia Se utiliza comúnmente en circuitos de audio y radiofrecuencia debido a su capacidad de operar a altas frecuencias.. Bajo voltaje de saturación Para voltaje de baja...
$ 12.00
$ 14.00
Descripción Transistor 2SC9012 de pequeña señal es un BJT tipo PNP de uso general diseñado para aplicaciones de amplificación de audio de baja potencia y conmutación. Funciona excelente para controlar pequeñas cargas como relés, luces LED y motores pequeños, siendo ideal para dispositivos portátiles debido a su alta ganancia y...
$ 7.00
$ 10.00
Descripción Transistor 2SC9015 de pequeña es un componente BJT de tipo PNP diseñado principalmente para aplicaciones de amplificación de señales de audio de baja frecuencia y bajo ruido, asi como la conmutación de baja potencia. Es ideal para preamplificadores, etapas de audio y control de cargas pequeñas Para voltaje de...
$ 58.00
$ 68.00
Descripción El 2SD1090 es un transistor de silicio NPN de 200 V de triple difusión (proceso PCT) diseñado para su uso en aplicaciones del regulador de potencia de TV en color. Alta capacidad de disipación de energía del colector Alta ganancia de corriente DC Alto voltaje Aplicaciones: Regulación de potencia...
$ 55.00
$ 93.00
Descripción El 2SD588 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de audio, convertidores y uso general. Alta capacidad de disipación de energía del colector Alta ganancia de corriente DC Alto voltaje Aplicaciones: Audio, regulador de serie y uso general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector a...
$ 130.00
Descripción El transistor IRFB23N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB23N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal...
Agotado $ 88.00
Descripción El IRFP260MPBF de International Rectifier es un MOSFET de potencia HEXFET de canal N simple de 200V en encapsulado TO-247AC. Este MOSFET cuenta con una resistencia en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción...
$ 18.00
Descripción El transistor ME15N10-G de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...
$ 103.00
Descripción Transistores NJW0281G de potencia bipolar, con la linealidad de ganancia superior y con un desempeño seguro para el área de operación. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y demás aplicaciones lineales. Área operativa segura excepcional Ganancia de coincidencia dentro...
$ 98.00
Descripción Transistor NJW0302G de potencia bipolar, con la linealidad de ganancia superior y con un desempeño seguro para el área de operación. Este transistor es ideal para las etapas de salida del amplificador de audio de alta fidelidad y demás aplicaciones lineales. Área operativa segura excepcional Ganancia de coincidencia dentro...
$ 49.00
Descripción El transistor STD10NM60ND combina la tecnología avanzada de MOSFET con un encapsulado de baja resistencia para proporcionar un RDS (ON) extremadamente bajo. Este dispositivo es ideal cuando el consumidor necesita impulsar convertidores y rectificadores síncronos, en telecomunicaciones, fuentes de alimentación industriales y retroiluminación LED. 100% avalancha probado Baja...
$ 52.00
Descripción El mpsfet SVF18N60F es un transistor de efecto de campo MOS de potencia de modo de mejora de canal N que se produce utilizando la tecnología VDMOS de estructura F-CellTM propiedad de Silan. El proceso mejorado y la estructura de la celda se han diseñado especialmente para minimizar la...
$ 35.00
Descripción El transistor TK15A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...