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Lo Más Vendido

Transistor J175 JFET Pequeña Señal CH-P 30 V 60 mA
Transistor J175 JFET Pequeña Señal CH-P 30 V 60 mASKU: TRAJ175

$ 18.00

Descripción Transistor J175 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados de chopper.   Conmutación de alta velocidad Buenas características de frecuencia Amplia área de operación segura Aplicaciones: Conmutación, convertidor CC-CC y osciladores de potencia...

Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mA
Transistor J112G JFET Pequeña Señal CH-N 35 V 50 mASKU: TRAJ112G

$ 31.00

Descripción Transistor FET J112G diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación analógica de bajo nivel, circuitos de muestreo y retención y amplificadores estabilizados con chopper. Conmutación de alta velocidad La fuente y el drenaje son intercambiables Voltaje de ruptura de puerta a fuente de 35 V Tensión de corte...

Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFZ48NPBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFZ48N

$ 53.00

Descripción El transistor IRFZ48NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ48N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFR120PBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 7.7 A
Transistor IRFR120PBF Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 7.7 ASKU: TRAIRFR120

$ 38.00

Descripción El transistor IRFR120  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFR120 es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFP140NPBF Mosfet Potencia CH-N 100 V 33 A
Transistor IRFP140NPBF Mosfet Potencia CH-N 100 V 33 ASKU: TRAIRFP140

$ 94.00

Descripción El transistor IRFP140NPBF  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP140NPBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 A
Transistor IRFD120 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1.3 ASKU: TRAIRFD120

$ 25.00

Descripción El transistor IRFD120 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFD120PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9640PBF Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 A
Transistor IRF9640PBF Mosfet TO220 CH-P 220 V 11 ASKU: TRAIRF9640

$ 55.00

Descripción El transistor IRF9640PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9640PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 A
Transistor IRF9630 Mosfet TO220 CH-P 200 V 6.5 ASKU: TRAIRF9630

$ 69.00 $ 80.00

Descripción El transistor IRF9630 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF9630PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 A
Transistor IRF620 Mosfet TO220 CH-N 200 V 5.2 ASKU: TRAIRF620

$ 33.00

Descripción El IRF620PBF es un modo de mejora de canal N de tercera generación. El MOSFET de potencia viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia de ENCENDIDO. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La...

Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 A
Transistor HGTG30N60A4 Mosfet IGBT Potencia 600 V 75 ASKU: TRAHGTG30N60A4

$ 230.00 $ 260.00

Descripción El HGTG30N60A4 es un IGBT de canal N y 600V con un diodo hiper rápido antiparalelo que combina las mejores características de alta impedancia de entrada de un MOSFET y baja en la pérdida de conducción del estado de un transistor bipolar. Este IGBT es ideal para muchas aplicaciones...

Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 A
Transistor HGTG20N60C3D Mosfet IGBT Potencia 600 V 45 ASKU: TRAHGTG20N60C3D

$ 72.00

Descripción El HGTG20N60B3D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. El dispositivo de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS de la serie UFS combina las mejores características de los MOSFET y los transistores bipolares. El dispositivo tiene la alta impedancia de entrada de...

Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 A
Transistor FSM75N75 Mosfet TO220 CH-N 80 V 75 ASKU: TRAFSM75N75

$ 42.00

Descripción El transistor  FSM75N75 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA36P15 Mosfet Potencia CH-P 150 V 36 A
Transistor FQA36P15 Mosfet Potencia CH-P 150 V 36 ASKU: TRAFQA36P15

$ 195.00

Descripción El FQA36P15 es un  MOSFET  diseñado para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una gran fuerza de energía de avalancha. Este dispositivo es adecuado para fuentes de alimentación conmutadas, amplificadores de audio, control de motores de CC y aplicaciones de...

Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 A
Transistor FDS4435BZ Mosfet Pequeña Señal CH-P -30 V 8.8 ASKU: CIRFDS4435BZ

$ 99.00

Descripción El FDS4435BZ es un mosfet de canal P de -30 V diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una baja carga de compuerta para un rendimiento de conmutación superior. Es un MOSFET de potencia de media tensión de Fairchild es un conmutador de potencia optimizado que...

Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 A
Transistor FDP2532 Mosfet TO-220 CH-N 150 V 79 ASKU: TRAFDP2532

$ 139.00

Descripción El transistor FDP2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   El FDP2532 es un MOSFET de canal...

Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 A
Transistor FDD8447L Mosfet Pequeña Señal CH-N 40 V 15.2 ASKU: TRAFDD8447L

$ 50.00

Descripción Transistor mosfet FDD8447L de pequeña señal de tecnología  PowerTrench® de 40 V de canal N que ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en el estado y mantener una carga de compuerta baja para un rendimiento de conmutación superior.    El MOSFET de potencia de media tensión más...

Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023
Transistor FDB2532 Mosfet Pequeña Señal CH-N 150 V 79 A 67R2023SKU: TRAFDB2532

$ 80.00 $ 145.00

Descripción El transistor FDB2532 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El FDB2532 es un MOSFET de canal N...

Transistor DTC114 Pequeña Señal
Transistor DTC114 Pequeña SeñalSKU: TRADTC114

$ 16.00

Descripción Transistor DTC114 pequeña señal SOT-23,  transistor digital con red de resistencia de polarización monolítica diseñada para reemplazar un solo dispositivo y su red de polarización de resistencia externa. El transistor de resistencia de polarización contiene un solo transistor con una red de polarización monolítica que consta de dos resistencias,...

Transistor BU931 Potencia
Transistor BU931 PotenciaSKU: TRABU931P

$ 205.00

Descripción Transistor BU931 potencia diseñado para su uso en aplicaciones de controlador de bobina de encendido de alto voltaje de grado automotriz como actuadores de potencia de encendido electrónico. Certificación AEC-Q10 Tecnología bipolar muy resistente Alta temperatura operativa de la unión Aplicaciones: Encendido electrónico de alta resistencia Información Básica Polaridad:...

Transistor BU508A Potencia
Transistor BU508A PotenciaSKU: TRABU508A

$ 36.00

Descripción Transistor de potencia diseñado para su uso para aplicaciones de deflexión horizontal de televisores, pantallas y monitores. Alta velocidad de conmutación Alto voltaje Tolerancia excepcional a las variaciones de carga de corriente Aplicaciones: Deflexión horizontal de televisores, pantallas y monitores Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...