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Transistor AO4614 Mosfet Pequeña Señal CH-P y CH-N 40 V 5 A
Transistor AO4614 Mosfet Pequeña Señal CH-P y CH-N 40 V 5 ASKU: TRAAO4614

$ 25.00

Descripción El transistor AO4614  es un mosfet de 40 V, dual, canal N y canal P, adecuado para retroiluminación del inversor para aplicaciones completas del convertidor puente de pantalla LCD. El pequeño MOSFET de potencia Foot con montaje en superficie utiliza paquetes de circuito y de pequeña señal integrada que han sido...

Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPP-M0 Mosfet IGBT TO220 CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPPM0

$ 42.00

Descripción El transistor bipolar  RJP30H1DPP-M0 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 A
Transistor RJP30H1DPD Mosfet IGBT Pequeña Señal CH-N 360 V 30 ASKU: TRARJP30H1DPD

$ 115.00

Descripción El transistor bipolar RJP30H1DPD de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 A
Transistor RFP50N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 50 ASKU: TRARFP50N06

$ 100.00

Descripción El transistor RFP50N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor NTP75N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 A
Transistor NTP75N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 75 ASKU: TRANTP75N06

$ 43.00

Descripción El transistor NTP75N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor MPSA18 Pequeña Señal
Transistor MPSA18 Pequeña SeñalSKU: TRAMPSA18

$ 5.00

Descripción Transistor MPSA18 de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación. El transistor NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría...

Transistor MPSA13G Pequeña Señal
Transistor MPSA13G Pequeña SeñalSKU: TRAMPSA13G

$ 7.00 $ 9.00

Descripción Transistor MPSA13G de pequeña señal con darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación.  El transistor NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor....

Transistor MPSA06G Pequeña Señal
Transistor MPSA06G Pequeña SeñalSKU: TRAMPSA06

$ 8.00

Descripción Transistor MPSA06G de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación.  El transistor NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría...

Transistor MP1620 Potencia
Transistor MP1620 PotenciaSKU: TRAMP1620

$ 81.00

Descripción Transistor MP1620 potencia darlington diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de poder.  Darlington Alto voltaje de ruptura Aplicaciones: Amplificación de poder Información Básica Polaridad: PNP Voltaje colector base VCBO: - 160 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente colector Ic:...

Transistor MJE340G Media Potencia
Transistor MJE340G Media PotenciaSKU: TRAMJE340G

$ 22.00

Descripción El MJE340 es un transistor de silicio NPN de potencia medio plástico para su uso con aplicaciones de propósito general de alta tensión. tensión colector-emisor a 300 V y la disipación de potencia a 20W. Adecuado para equipos operados por línea sin transformador Voltaje de la base del emisor...

Transistor MJE15031G TO220
Transistor MJE15031G TO220SKU: TRAMJE15031G

$ 54.00

Descripción El MJE15031G es un transistor bipolar de potencia  diseñado para su uso como  conductor de alta frecuencia en amplificadores de audio. Gran ancho de banda de ganancia de corriente. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base...

Transistor MJE15029 TO220
Transistor MJE15029 TO220SKU: TRAMJE15029

$ 13.00

Descripción Transistor MJE15029 Tipo T diseñado para uso en controladores de alta frecuencia en aplicaciones de amplificadores de audio. Alta ganancia de corriente Alto ancho de banda Aplicaciones: Audio, industrial Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -150 V Voltaje colector emisor VCEO: -150 V Voltaje emisor...

Transistor MJE13005G = KSE13005 TO220
Transistor MJE13005G = KSE13005 TO220SKU: TRAMJE13005

$ 25.00

Descripción El MJE13005-2 es un transistor diseñado para su uso en circuitos inductivos de conmutación de potencia de alta velocidad y alto voltaje donde el tiempo de caída es crítico. Son particularmente adecuados para aplicaciones SWITCHMODE de 115 y 220 V, como reguladores de conmutación, inversores, controles de motor, controladores...

Transistor M50D060S Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 50A
Transistor M50D060S Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 50ASKU: TRAM50D060S

$ 93.00

Descripción El transistor M50D060S  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Transistor M50D060S potencia.  transistor El transistor M50D060S IGBT...

Transistor J6810D Potencia
Transistor J6810D PotenciaSKU: TRAJ6810D

$ 39.00

Descripción Transistor J6810D potencia diseñado para su uso en aplicaciones de salida de deflexión horizontal de pantalla a color de alto voltaje.   Voltaje alto de ruptura de colector-base: BVCBO = 1500V Alta velocidad de conmutación: tF (típ.) = 0.1μs Aplicaciones: Para monitor en color Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector...

Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 A
Transistor IXTP56N15T Mosfet TO220 CH-N 150 V 56 ASKU: TRAIXTP56N15T

$ 115.00

Descripción Transistor mosfet IXTP56N15T Tipo T, de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores...

Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 A
Transistor IRGP4086 Mosfet IGBT Potencia CH-N 1.9 V 70 ASKU: TRAIRGP4086

$ 180.00

Descripción El transistor bipolar IRGP4086 de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 A
Transistor IRG4PC40U Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 20 ASKU: TRAIRG4PC40U

$ 95.00

Descripción El IRG4PC40U es un IGBT de 600V  ultrarápido de 8 a 60 kHz con diodo de recuperación de software, proceso de conmutación dura optimizado para alta frecuencia de funcionamiento. Generación 4 diseño de IGBT ofrece más estricto parámetro de distribución y una mayor eficiencia de la generación 3. HEXFRED...

Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 A
Transistor IRFZ34N Mosfet TO220 CH-N 55 V 26 ASKU: TRAIRFZ34N

$ 34.00

Descripción El transistor  IRFZ24N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFZ34N es un transistor MOSFET de N-canal...

Transistor IRFP9140NPBF Mosfet Potencia CH-P 100 V 23 A
Transistor IRFP9140NPBF Mosfet Potencia CH-P 100 V 23 ASKU: TRAIRFP9140

$ 92.00

Descripción El transistor IRFP9140NPBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP9140NPBF es un MOSFET de potencia HEXFET®...