Transistor IRFD110 Mosfet Pequeña Señal CH-N 100 V 1 ASKU: TRAIRFD110

$ 18.00

Descripción El transistor IRFD110 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFD110PBF es un MOSFET de potencia de...

Acoplador de Impedancia 300 Ohms a 75 Ohms con Plug 3.5 mm MonoSKU: ADA0126

$ 10.00 $ 19.00

Descripción Transformador de impedancia con plug 3.5 mm de 300 a 75 Ohm usado generalmente en televisores portátiles. El conector F es un tipo de conector para cable coaxial de radiofrecuencia, de uso común en la televisión terrestre por antena aérea, televisión por cable y universal para la televisión por...

Transistor TIP2955 PotenciaSKU: TRATIP2955

$ 59.00

Descrición El TIP2955 es un transistor de potencia PNP bipolar de alta potencia diseñados para manejar una corriente continua de -15A y voltaje colector-emisor -60V. Estos transistores se utilizan en una variedad de aplicaciones, como amplificadores de potencia, reguladores de voltaje, inversores, fuentes de alimentación conmutadas y otros circuitos de...

Transistor TIP121 TO220SKU: TRATIP121

$ 9.00

Descripción El TIP121 es un transistor  con darlington diseñado para su uso en  amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. El TIP12 es un transistor NPN ideal para control de motores DC, reguladores de voltaje, amplificadores de potencia, fuentes de alimentación, cargadores de baterías y sistemas...

Transistor MPSA94 Pequeña SeñalSKU: TRAMPSA94

$ 8.00 $ 14.00

Descripción El transistor MPSA94 de pequeña señal donde el voltaje y corriente son negativos para transistores PNP  que se utiliza como interruptor y amplificador de audio. El transistor tipo PNP, son aquellos con más P en su nombre, por lo que utilizan “partículas” subatómicas de signo Positivo para transportar la corriente. Esta diferencia es...

Transistor MJE3055T TO220SKU: TRAMJE3055

$ 31.00

Descripción El MJE3055T es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación  de propósito general y aplicaciones de conmutación. El MJE2955T (PNP) y MJE3055T (NPN) son dispositivos complementarios. Ganancia actual especificada a 10A Alta ganancia de corriente - ancho de banda Colector de 70VDC a voltaje base (VCBO)...

Transistor MJ2955G PotenciaSKU: TRAMJ2955

$ 95.00 $ 120.00

Descripción El MJ2955 es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de -60V diseñado para usarse en aplicaciones de propósito general de conmutación y de amplificador. Voltaje máximo de saturación de colector a emisor (VCE (sat)) de 1.1V Voltaje de colector-base de -100V Voltaje de emisor-base de -7V Corriente...

Transistor IXGH30N60B Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 60 ASKU: TRAIXGH30N60B

$ 183.00

Descripción El transistor bipolar IXGH30N60B  de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de...

Transistor IRLZ34PBF Mosfet TO220 CH-N 55 V 30 ASKU: TRAIRLZ34N

$ 93.00

Descripción El IRLZ34PBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con resistencia extremadamente baja  a la conexión por área de silicio y un rendimiento de conmutación rápido. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado por el que los MOSFET de...

Transistor IRFP450 Mosfet Potencia CH-N 500 V 14 ASKU: TRAIRFP450

$ 134.00

Descripción El transistor IRFP450APBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP450 es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFP264N Mosfet Potencia CH-N 250 V 44 ASKU: TRAIRFP264N

$ 105.00

Descripción El transistor IRFP264N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFP264N es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFB31N20DPBF Mosfet TO220 CH-N 200 V 31 ASKU: TRAIRFB31N20D

$ 120.00

Descripción El transistor IRFB31N20 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFB31N20DPBF es un MOSFET de potencia N-canal...

Transistor IRF830 Mosfet TO220 CH-N 500 V 4.5 ASKU: TRAIRF830

$ 52.00

Descripción El transistor  IRF830 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRF830PBF es un MOSFET de SMPS de...

Transistor IRF644 Mosfet TO220 CH-N 250 V 14 ASKU: TRAIRF644

$ 53.00

Descripción El transistor IRF644N  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Tecnología robusta de avalancha Tecnología de óxido de...

Transistor IRF1310 Mosfet TO220 CH-N 100 V 42 ASKU: TRAIRF1310N

$ 72.00

Descripción Transistor mosfet hexfet IRF1310NPBF Tipo T de un solo canal N 100V HEXFET® Power MOSFET con muy baja resistencia por unidad de superficie de silicio y el rendimiento de conmutación rápida usando tecnología planar avanzada.    Temperatura de trabajo 175 ° C Cambio rápido Valor dinámico dV / dt...

Transistor HUFA75339P3 Mosfet TO220 CH-N 55 V 75 ASKU: TRAHUFA75339P3

$ 28.00

Descripción El transistor HUFA75339P3   de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FKV550 MOSFET TO-220 CH N 50 V 50 ASKU: TRAFKV550

$ 39.00

Descripción Transistor FKV550  es un  mosfet  utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.   Cambio rápido Baja resistencia de encendido Capacidad de energía de avalancha garantizada Diodo de protección de compuerta incorporado contra descargas...

Transistor BD138 Media PotenciaSKU: TRABD138

$ 4.00

Descripción El BD138 es un transistor  diseñado para amplificadores de audio y controladores que utilizan circuitos complementarios o casi complementarios. Complementario es BD135, BD137, BD140 Aplicaciones: Industrial, administración de potencia   Información Básica  Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -60 V Voltaje colector emisor VCEO: -60 V Voltaje emisor...

Transistor BC640 Pequeña SeñalSKU: TRABC640

$ 3.00

Descripción Transistor BC640 Pequeña Señal. El BC640 es un transistor bipolar epitexial de silicio de PNP de energía baja para las etapas del conductor y las aplicaciones del amplificador audio. 45 ° C / W Resistencia térmica de unión a caja 156 ° C / W Unioón en la resistencia térmica...

Transistor BC556B Pequeña SeñalSKU: TRABC556B

$ 2.00

Descripción Transistor BC556B  de pequeña señal diseñado para su uso en aplicaciones de  alto voltaje y bajo ruido. Baja corriente Bajo voltaje Aplicaciones: Conmutación y amplificación de uso general Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO:  -80 V Voltaje de colector emisor VCEO:  -65 V Voltaje emisor...