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Transistor IRFI640G Mosfet TO220 CH-N 200 V 9.8 A
Transistor IRFI640G Mosfet TO220 CH-N 200 V 9.8 ASKU: TRAIRFI640G

$ 129.00 $ 150.00

Descripción El transistor IRFI640 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFI640G es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFI540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 20 A
Transistor IRFI540N Mosfet TO220 CH-N 100 V 20 ASKU: TRAIRFI540N

$ 79.00 $ 110.00

Descripción El transistor IRFI540 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFI540NPBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRFI530 Mosfet TO220 CH-N 110 V 14 A
Transistor IRFI530 Mosfet TO220 CH-N 110 V 14 ASKU: TRAIRFI530

$ 65.00 $ 78.00

Descripción El transistor IRFI530 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Tecnología abalancha Capacitancia de entrada más baja Carga...

Transistor IRFI3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 A
Transistor IRFI3205 Mosfet TO220 CH-N 55 V 64 ASKU: TRAIRFI3205

$ 92.00

Descripción El transistor IRFI3205PBF de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. El IRFI3205PBF es un MOSFET de potencia de...

Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 A
Transistor IRF720 Mosfet TO220 CH-N 400 V 3.3 ASKU: TRAIRF720

$ 50.00 $ 86.00

Descripción El transistor IRF720  de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Baja resistencia térmica Tecnología de proceso avanzada Clasificación...

Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 A
Transistor IRF5210L Mosfet Media Potencia CH-P 100 V 40 ASKU: TRAIRF5210L

$ 55.00

Descripción Transistor mosfet IRF5210L  HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas avanzadas de procesamiento para lograr  resistencia extremadamente baja en la conexión por área de silicio. Este beneficio, combinado con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo reforzado que son bien conocidos por, proporcionan...

Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 A
Transistor IRF460 Mosfet Potencia CH-N 500 V 21 ASKU: TRAIRF460

$ 128.00

Descripción Transistor mosfet IRF460 de potencia, hexfet que es una tecnología de la línea de rectificador avanzado de transistores MOSFET de potencia con una geometría eficiente y procesamiento único en el  diseño "Estado de la técnica" que logra: resistencia muy baja en el estado combinada con una alta transconductancia; Superior...

Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 A
Transistor IRF250 Mosfet Potencia CH-N 200 V 30 ASKU: TRAIRF250

$ 73.00

Descripción Transistor IRF250 de potencia  herméticamente sellado con muy baja resistencia y con alta transconductancia, energía inversa superior y la capacidad de recuperación de diodo dv / dt utilizando la tecnología Hi-Rel. El mosfet IRG250 es  muy adecuado  para aplicaciones como el cambio fuentes de alimentación, controles del motor, inversores,...

Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 A
Transistor HGTG12N60A4D Mosfet IGBT Potencia CH-N 600 V 54 ASKU: TRAHGTG12N60A4D

$ 297.00

Descripción El HGTG12N60A4D es un IGBT de canal N de 600 V con diodo hiperveloz antiparalelo. Esta serie SMPS es miembro de la familia IGBT de conmutación de alto voltaje con compuerta MOS. IGBT combina las mejores características de MOSFET y transistores bipolares. Este dispositivo tiene la alta impedancia de...

Transistor H882 Media Potencia
Transistor H882 Media PotenciaSKU: TRAH882

$ 13.00 $ 46.00

Descripción Transistor H882 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de radio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 40 V Voltaje colector emisor VCEO: 30 V Voltaje emisor base VEBO: 5 V Corriente de colector IC: 3 A ...

Transistor H772 Media Potencia
Transistor H772 Media PotenciaSKU: TRAH772

$ 15.00

Descripción Transistor H772 media potencia diseñado para su uso en aplicaciones de amplificación de potencia de audio frecuencia y conmutación. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -40 V Voltaje colector emisor VCEO: -30 V Voltaje emisor base VEBO: -5 V Corriente de colector IC: -3 A ...

Transistor H1061 TO220
Transistor H1061 TO220SKU: TRAH1061

$ 27.00

Descripción Transistor H1061 Tipo T diseñado para su uso como amplificador de potencia de baja frecuencia. Velocidad media de conmutación Alta disipación de potencia Aplicaciones: Amplificación baja frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:  100 V Voltaje colector emisor VCEO:  80 V Voltaje emisor base VEBO: ...

Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A
Transistor FQPF9N50 Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 ASKU: TRAFQPF9N50

$ 38.00

Descripción El FQPF9N50 es un mosfet QFET® de canal N de 500V,  de potencia que se produce utilizando la banda planar propia de Fairchild Semiconductor y la tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET ha sido especialmente diseñada para reducir la resistencia en el estado y para proporcionar un rendimiento de...

Transistor FQP9N50C Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 A
Transistor FQP9N50C Mosfet TO220 CH-N 500 V 9 ASKU: TRAFQP9N50C

$ 29.00

Descripción El transistor FQP9N50C de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH-N 120 V 32 A
Transistor FQP32N12V2 Mosfet TO220 CH-N 120 V 32 ASKU: TRAFQP32N12V2

$ 35.00

Descripción El transistor FQP32N12V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 A
Transistor FQA18N50V2 Mosfet Potencia CH-N 500 V 20 ASKU: TRAFQA18N50

$ 105.00

Descripción El transistor FQA18N50V2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están...

Transistor FP1016 Potencia
Transistor FP1016 PotenciaSKU: TRAFP1016

$ 56.00

Descripción Transistor FP1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FN651 Potencia
Transistor FN651 PotenciaSKU: TRAFN651

$ 52.00

Descripción Transistor FN651 potencia es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de salida en respuesta a una señal de entrada. Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.1​ El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistor de transferencia»). Actualmente se encuentra prácticamente en...

Transistor FN1016 Potencia
Transistor FN1016 PotenciaSKU: TRAFN1016

$ 56.00

Descripción Transistor FN1016 potencia Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.  Esta configuración sirve para que el dispositivo sea capaz de proporcionar una gran ganancia de corriente y, al poder estar todo integrado,...

Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399
Transistor FDS8984 Mosfet Pequeña Señal CH-N 30 V 7 A 86K1399SKU: TRAFDS8984

$ 35.00 $ 46.00

Descripción El transistor FDS8984 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. IRF640 es un mosfet de  potencia que ofrece...