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Semiconductores
$ 39.00
$ 55.00
Descripción Semiconductor NTE2501 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de alto voltaje. Alto voltaje de ruptura Excelente característica de alta frecuencia Aplicaciones: Salida cromática de televisión en color, controladores de alto voltaje de ruptura Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO:...
$ 10.00
Descripción Semiconductor NTE2503 diseñado para su uso como interruptor de alta ganancia. Alta ganancia de corriente CC Capacidad de alta corriente Voltaje de saturación colector-emisor bajo Alto voltaje de emisor-base Aplicaciones: Amplificador AF y varios controladores Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 30 V Voltaje colector...
$ 25.00
$ 60.00
Descripción El NTE2506 es un transistor epitaxial NPN de silicio en un paquete tipo TO126 diseñado para su uso en la etapa de código del controlador para monitores gráficos en color de alta resolución. Alto voltaje de ruptura Capacitancia de salida baja Aplicaciones: Controladora de video de alta frecuencia Información...
$ 45.00
$ 102.00
Descripción Semiconductor NTE2514 es un transistor diseñado para su uso como interruptor de alta corriente. Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Producto de ancho de banda de alta ganancia Excelente linealidad de hFE Tiempo de cambio rápido Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores de alta velocidad, convertidores Información...
$ 35.00
$ 90.00
Descripción Semiconductor NTE2516 es un transistor diseñado para su uso como interruptor de alta corriente. Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Producto de ancho de banda de alta ganancia Excelente linealidad de hFE Tiempo de cambio rápido Aplicaciones: Controladores de pantalla, inversores de alta velocidad, convertidores Información Básica...
$ 90.00
$ 170.00
Descripción Semiconductor NTE2521 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de video para HDTV. Ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Alta corriente Capacidad de transferencia inversa baja y excelente respuesta de alta frecuencia Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base...
$ 95.00
$ 210.00
Descripción Semiconductor NTE2535. Transistor complementario switch de alta corriente. Su complemento es NTE2534 Voltaje de saturación del emisor del colector bajo Aplicaciones: Controladores de relé Inversores de alta velocidad Convertidores Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -90 V Voltaje colector emisor VCEO: -80 V Voltaje...
$ 49.00
Descripción Semiconductor NTE254 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlington. El NTE253 (NPN) y NTE254 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO126 diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad. Alta ganancia de corriente...
$ 100.00
$ 320.00
Descripción Semiconductor NTE2559 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de relevador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 120 V Voltaje colector emisor VCEO: 120 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V...
$ 95.00
$ 300.00
Descripción Semiconductor NTE2560 es un transistor diseñado para su uso como manejador de motor de revelador. Su complemento es NTE2560 Aplicaciones: Darlington, controlador de motor / relé Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -120 V Voltaje colector emisor VCEO: -120 V Voltaje emisor base VEBO: -6...
$ 100.00
$ 270.00
Descripción Semiconductor NTE2561 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de video. Producto de ancho de banda de alta ganancia Alto voltaje de ruptura Corriente grande Capacidad de transferencia inversa pequeña Aplicaciones: Amplificadores de banda ancha Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 100...
$ 35.00
$ 80.00
Descripción Semiconductor NTE2566 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta velocidad de alta corriente. Voltaje de saturación bajo Velocidad de conmutación rápida Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 60 V Voltaje colector emisor VCEO: 50 V Voltaje emisor base VEBO:...
$ 60.00
$ 89.00
Descripción Semiconductor NTE2570 es un transistor diseñado para su uso como switch de alta corriente. Su complemento es NTE2571 Voltaje de saturación colector-emisor bajo Capacidad de alta corriente Aplicaciones: Industrial Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 90 V Voltaje colector emisor VCEO: 80 V Voltaje emisor...
$ 164.00
$ 300.00
Descripción Semiconductor NTE266 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia darlingotn. Relación de transferencia de corriente directa: hFE = 40.000 min Disipación de energía: 1,33 W Free – Air @ TA = + 50 ° C Montaje con soldadura dura Aplicaciones: Controlador, controlador IC, regulador,...
$ 95.00
$ 190.00
Descripción Semiconductor NTE27 es un tansistor de alta corriente diseñado para su uso como amplificador de alta ganancia. El NTE27 es un transistor de potencia de germanio PNP diseñado para aplicaciones de alta corriente que requieren voltajes de alta ganancia y baja saturación. Alta corriente Alta ganancia Aplicaciones: Amplificador...
$ 250.00
$ 470.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 99.00
Descripción El NTE278 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado específicamente para aplicaciones de banda ancha que requieren buena linealidad. Se puede utilizar como interruptor de modo de corriente de alta frecuencia a 200 mA. Figura de bajo ruido: NF = 3.0dB Typ @...
$ 95.00
$ 190.00
Descripción El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso en aplicaciones de circuitos de conmutación y amplificadores de alta potencia. El NTE29 (NPN) y NTE30 (PNP) son transistores de potencia complementarios en una carcasa tipo TO3 diseñados para...
$ 95.00
$ 178.00
Descripción El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la disposición pnpn. La conducción entre ánodo y cátodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la...
$ 116.00
$ 150.00
Descripción Semiconductor NTE322 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de salida de potencia RF. El NTE322 es un transistor de potencia NPN RF de silicio en un paquete tipo TO202N diseñado para su uso en Citi-zen - Band y otros equipos de comunicaciones de alta frecuencia que operan...