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Semiconductores
$ 140.00
Descripción Semiconductor NTE102 es un transistor PNP manejador con salida de potencia. El NTE102 es un transistor PNP de germanio complementario,diseñado para aplicaciones de conmutación de velocidad media saturados. Voltaje de saturación colector-emisor bajo Alto voltaje de ruptura del emisor-base Aplicaciones: Salida de potencia Información Básica Polaridad del transistor: PNP...
$ 57.00
Descripción Semiconductor NTE106 es un transistor diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación. Aplicaciones: Administración de potencia. Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -15 V Voltaje colector emisor VCEO: -15 V Voltaje emisor base VEBO: -4.5 V Corriente de colector IC: 200 mA Disipación de...
$ 45.00
Descripción Semiconductor NTE123 es un transistor diseñado para su uso como switch amplificador de audio de propósito general. Aplicaciones: Amplificador de propósito general Información Básica Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 75 V Voltaje colector emisor VCEO: 40 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente de...
$ 17.00
Descripción Semiconductor NTE123AP es un transistor diseñado para su uso como switch amplificador de audio. Complemento del NTE159. El NTE123AP es un transistor NPN de silicio diseñado para su uso en amplificadores de audio y aplicaciones de conmutadores. 20ns Tiempo de subida 30ns Tiempo de caída Aplicaciones: Audio Información Básica...
$ 90.00
$ 185.00
Descripción Semiconductor NTE126A es un transistor PNP de germanio diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Aplicaciones: Conmutación de alta velocidad Información Básica Polaridad del transistor: PNP Voltaje colector base VCBO: -15 V Voltaje colector emisor VCEO: -25 V Voltaje emisor base VEBO: -3 V...
$ 65.00
$ 121.00
Descripción El NTE154 es un transistor NPN de silicio en un paquete tipo TO39 diseñado para usarse como salida de video para controlar un CRT de color. Alto voltaje: VCEO = 300V Min @ IC = 5mA Baja capacitancia: Cob = 3pF Max @ VCB = 20V Alta frecuencia: ft...
$ 90.00
$ 199.00
Descripción Semiconductor NTE160 es un transistor amplificador de germanio, oscilador PNP, diseñado para su uso como un mezclador de preamplificador y oscilador de hasta 900 MHz. Aplicaciones: Comunicaciones RF Información Básica Polaridad PNP Tensión colector emisor V(br)ceo 16V Frecuencia de transición ft 700MHz Disipación de potencia Pd 60mW Corriente de...
$ 110.00
$ 270.00
Descripción Semiconductor NTE176 es un transistor diseñado para su uso como amplificador de potencia de audio de germanio. Transistor bipolar BJT. Información Básica Polaridad PNP Tensión colector emisor V(br)ceo: -25 V Frecuencia de transición ft: 1.2 MHz Disipación de potencia Pd: 6 W Corriente de colector DC: -2 A Ganancia...
$ 90.00
$ 189.00
Descripción El NTE188 (NPN) y el NTE189 (PNP) son transistores de silicio complementarios en un paquete tipo TO202N diseñado para aplicaciones generales de amplificador y controlador de alto voltaje. Voltaje de ruptura de colector-emisor alto: V (BR) CEO = 80V @ IC = 1mA Disipación de alta potencia: PD...
$ 85.00
$ 168.00
Descripción El NTE190 es un transistor bipolar de NPN de silicio diseñado para aplicaciones de accionamiento horizontal, amplificadores lineales de alto voltaje y reguladores de transistor de alto voltaje. Voltaje de ruptura de colector-emisor alto: V (BR) CEO = 180V (Min) @ IC = 1mA Voltaje de saturación colector-emisor bajo:...
$ 80.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE1912 es un regulador de voltaje positivo fijo de 3 terminales en un paquete tipo TO3 diseñado para su uso en aplicaciones que requieren un voltaje de salida positivo bien regulado. Las características sobresalientes incluyen el uso de potencia total de hasta 3 A de corriente de carga,...
$ 195.00
$ 250.00
Descripción Semiconductor NTE1934 es un transistor diseñado para su uso como regulador de voltaje positivo. Tensión de ajuste preciso de ± 2% Amplio rango de voltaje de entrada (~45 V) Protección de plegado de corriente incorporada Combinación ideal de transistor de potencia pasivado y circuito de chip de alta fiabilidad...
$ 19.00
$ 30.00
Descripción Semiconductor NTE194 diseñado para su uso como amplificador de potencia de audio. Información Básica Polaridad: NPN Voltaje colector base VCBO: : 180 V Voltaje colector emisor VCEO: 160 V Voltaje emisor base VEBO: 6 V Corriente continua: 600 mA Disipación de potencia: 350 mW Temperatura de funcionamiento mínima: -55...
$ 116.00
Descripción Transistor de alto voltaje y switch de alta velocidad NPN de 400V diseñado para alto voltaje, potencia de alta velocidad de conmutación de circuitos inductivos donde el tiempo es crítico caída. Este dispositivo es particularmente adecuado para aplicaciones de 115V y el interruptor de modo 220, tales como reguladores...
$ 188.00
Descripción El NTE2319 es un transistor NPN de silicio de 450 V diseñado para alta tensión, alta velocidad y conmutación de potencia en circuitos inductivos donde el tiempo de caída es crítico. Es particularmente adecuado para aplicaciones de modo de interruptor operado por línea. Interruptor de alto voltaje y alta...
$ 85.00
Descripción Los transistores de silicio complementarios NTE2361 (NPN) y NTE2362 (PNP) están diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de alta velocidad. La alta ganancia de estos dispositivos hace posible que se controlen directamente desde circuitos integrados. Su complemento es NTE2362 Encapsulado pequeño Alto voltaje de...
$ 255.00
Descripción Semiconductor NTE237 es un transistor salida de potencia RF diseñado para su uso en aplicaciones de la transmisión de radio, la potencia de salida del transmisor (TPO) es la cantidad real de potencia (en vatios) de energía de radiofrecuencia (RF) que produce un transmisor en su salida. Aplicaciones: Salida...
$ 25.00
Descripción El NTE2409 es un transistor de silicio PNP de uso general en un paquete de montaje en superficie tipo SOT-23 diseñado para su uso en etapas de controlador de amplificadores de audio en circuitos híbridos de película fina y gruesa. Complemento NTE2908 Aplicaciones: Controlador de amplificadores de audio...
$ 155.00
Descripción El NTE243 (NPN) y NTE244 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO3 diseñados para amplificadores de propósito general y aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. Alta ganancia de corriente CC Voltaje de mantenimiento de colector-emisor Construcción monolítica con resistencias de derivación de emisor...
$ 260.00
Descripción El NTE249 (NPN) y NTE250 (PNP) son transistores Darlington complementarios de silicio en una carcasa tipo TO3 diseñados para su uso como dispositivos de salida en aplicaciones complementarias de amplificador de propósito general. 3500 Alta ganancia de corriente DC hFE @ IC = 10A Construcción monolítica con resistencias...