$ 37.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


  • Resistencia ON de la fuente de drenaje baja: RDS (ON) = 1,0 Ω (típico)
  • Alta transferencia hacia de entrada: ⎪Yfs⎪ = 2.5 S (típica)
  • Baja corriente de fuga: IDSS = 10 μA (máx.) (VDS = 500 V)
  • Modo de realce: Vth = 2,4 a 4,4 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulador de conmutación

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 7 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 28 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 35 W
  • Energía de avalancha de un solo pulso: 129 mJ
  • Temperatura de operación mínima: -55°C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines 

Sustituto

NTE2999  2SK2640  TK10A50D  TK8A50D

 

Documentación 

Datasheet

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