$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK30A06N1 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Tecnología avanzada de procesos
  • Ultra bajo en resistencia
  • Valor dinámico dV / dt
  • Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
  • 150 °C Temperatura de funcionamiento
  • Aplicaciones: Administración de potencia

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID: 43 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 95 A
  • Corriente de avalancha IAR: 30 A
  • Disipación de potencia máxima PD: 25 W
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines 

Sustituto

No Aplica

Documentación 

Datasheet

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