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Descripción

El transistor TK12A60U de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Baja resistencia de encendido-ON: RDS (ENCENDIDO)  = 0.36Ω  (típico)
  • Alta aceptación de transferencia directa:Yfs  = 7.0 S (típico)
  • Baja corriente de fuga: IDSS  = 100μA (max) (VDS  = 600 V)
  • Modo de mejora: Vth  = 3.0 a 5.0 V (VDS  = 10 V, Ire  = 1 mA)
  • Aplicaciones: Conmutación, industrial

Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 12 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 24 A
    • Corriente de avalancha IAR: 12 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 35 W
    • Resistencia de activación RDS(on): 0.36 Ohms
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150 °C
    • Encapsulado: TO-220F
    • Número de pines: 3

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación 

    Datasheet

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