$ 30.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor TK10A50D de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Resistencia baja de ON-fuente de drenaje: RDS (ENCENDIDO)  = 0.62Ω  (típico)
  • Alta aceptación de transferencia directa: Yfs  = 5.0 S (típico)
  • Baja corriente de fuga: IDSS  = 10μA (max) (VDS  = 500 V)
  • Modo de mejora: Vth  = 2.0 a 4.0 V (VDS  = 10 V, Ire  = 1 mA)
  • Aplicaciones: Regulación de conmutación

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 500 V
  • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 10 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDP: 40 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia máxima PD (TC=25°C): 45 W
  • Resistencia VGS RDS(on): 0.38 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Número de pines: 3

    Sustituto

    NTE2999  2SK2640 

     

    Documentación 

    No Aplica

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