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Transistor STW18N60M2 Mosfet Potencia CH-N 600 V 13 A 110 W

Transistor STW18N60M2 Mosfet Potencia CH-N 600 V 13 A 110 W

TRASTW18N60M2

$ 95.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STW18N60M2 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

El STW18N60M2 es un  MOSFET de potencia de canal N desarrollados utilizando la tecnología MDmesh M2. Gracias a su diseño de banda y estructura vertical mejorada, estos dispositivos exhiben características de conmutación optimizadas y de baja resistencia, lo que los hace adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
  • Carga de puerta extremadamente baja
  • Excelente perfil de capacitancia de salida (COSS)
  • 100% avalancha probada
  • Protegido por Zener
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia,conmutación, convertidores LC, convertidores resonantes

Información Básica

  • Polaridad de transistor: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 650 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 650 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±25 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 13 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 52 A
  • Corriente de avalancha IAR: 3 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 110 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.28 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-247
  • Número de pines: 3

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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