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Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 55 A

Transistor STP55N06 Mosfet TO220 CH-N 60 V 55 A

TRASTP55N06

$ 20.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP55N06 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

 

    • 100%  avalancha probado
    • Alta capacidad de corriente
    • Alta capacidad dv/dt
    • Datos avalancha repetitivos a 100°C
    • Bajas capacidades intrínsecas
    • Carga compuerta minimizado
    • Tensión de umbral reducida
    • Alta velocidad de conmutación
    • Aplicaciones: Administración de potencia, entorno automotriz (inyección, ABS, airbag, controladores de lámparas, etc.), control de motores, amplificadores de audio, convertidores DC-DC y DC-DA, controladores de regulador, solenoide y relé

    Información Básica

    • Polaridad del transistor: Canal N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 60 V
    • Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 60 V
    • Voltaje de puerta a fuente VGS: ±15 V
    • Corriente continua de drenaje ID: 55 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDP: 220 A
    • Corriente de avalancha IAR: 38 A
    • Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 45 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.02 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -65 °C
    • Temperatura de operación máxima: 175 °C
    • Encapsulado: TO-220
    • Número de pines: 3

      Sustituto

      NTE2941    STP55NE06

      Documentación

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