$ 26.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP3N60F1 de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • 100%  avalancha probado
  • Datos avalancha repetitivos a 100°C
  • Bajas capacidades intrínsecas
  • Carga compuerta minimizado
  • Tensión de umbral reducida
  • Aplicaciones: Alta corriente, alta velocidad de conmutación, conmutadores de modo interruptor (SMPS), convertidores DC-AC para soldadura, equipamiento  ininterrumpido, fuentes de alimentación y manejo de motor

Información Básica

  • Polaridad: Canal-N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 600 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 600 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 2.1 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 11.6 A
  • Corriente de avalancha IAR: 2.9 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 40 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 4 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 150°C
  • Encapsulado: TO-220F
  • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

    No Aplica

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