$ 43.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP30NF10FP de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

  • Excepcional capacidad de dv/dt
  • 100% avalancha probado
  • Aplicaciones: Convertidores DC-DC de alta eficiencia, control de UPS y Motores

Información Básica

  • Polaridad: Canal N
  • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 100 V
  • Voltaje de drenaje a compuerta VDGR: 100 V
  • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±20 V
  • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 18 A
  • Corriente de drenaje pulsada IDM: 72 A
  • Corriente de avalancha IAR: 10 A
  • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 30 W
  • Resistencia VGS RDS(on) máximo: 0.045 Ω
  • Temperatura de operación mínima: -55 °C
  • Temperatura de operación máxima: 175°C
  • Encapsulado TO-220F
  • 3 pines

Sustituto

No Aplica

Documentación

Datasheet

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