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Transistor STP10NK80Z Mosfet TO220 CH-N 800 V 9 A

Transistor STP10NK80Z Mosfet TO220 CH-N 800 V 9 A

TRASTP10NK80Z

$ 193.00 MXN Precio incluye IVA

Descripción

El transistor STP10NK80Z de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.


El STP10NK80ZFP es un MOSFET de potencia protegido por Zener de 800 N canales desarrollado con la tecnología SuperMESH ™, logrado a través de la optimización del diseño PowerMESH ™ basado en tiras bien establecido. Además de una reducción significativa en la resistencia, este MOSFET está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv / dt para las aplicaciones más exigentes. Se mejoró la carga de la compuerta y se redujo la disipación de potencia para cumplir con los exigentes requisitos de eficiencia actuales.

  • Capacitancia intrínseca muy baja
  • Libre de plomo
  • Carga de puerta minimizada
  • Capacitancia intrínseca muy baja
  • 100 % avalancha probado
  • Aplicaciones: Industrial, administración de potencia, fuentes de alimentación en modo de interruptor, convertidores DC-AC para soldadura, UPS, accionamiento de motor, conmutación de alta velocidad, alta corriente

    Información Básica

    • Polaridad: Canal-N
    • Voltaje de drenaje a fuente VDS: 800 V
    • Voltaje de drenaje  compuerta VDGR: 800 V
    • Voltaje de compuerta a fuente VGS: ±30 V
    • Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 9 A
    • Corriente de drenaje pulsada IDM: 36 A
    • Corriente de avalancha IAR: 9 A
    • Disipación de potencia total PD (Tc=25°C): 160 W
    • Resistencia de activación RDS(on) typ: 0.75 Ω
    • Temperatura de operación mínima: -55 °C
    • Temperatura de operación máxima: 150°C
    • Encapsulado TO-220F
    • 3 pines

    Sustituto

    No Aplica

    Documentación

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